摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

gallium(III) diethyldithiocarbamate | 16037-72-2

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
gallium(III) diethyldithiocarbamate
英文别名
gallium tris(diethyldithiocarbamate);Ga(S2CNEt2)3;[Ga(DTC)3];[Ga(diethyldithiocarbamate)3];tris(diethyldithiocarbamato)gallium(III);gallium;N,N-diethylcarbamodithioate
gallium(III) diethyldithiocarbamate化学式
CAS
16037-72-2
化学式
C15H30GaN3S6
mdl
——
分子量
514.542
InChiKey
ZADCDGNTNDRGDG-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.05
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    12
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.8
  • 拓扑面积:
    182
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    gallium(III) diethyldithiocarbamate 生成 gallium(III) sulfide
    参考文献:
    名称:
    通过单源前体的无溶剂热解合成和表征 Ga 和 In 掺杂的 CdS
    摘要:
    我们报告了从分子前体轻松和低温合成 Ga 和 In 掺杂的 CdS 纳米粒子。合成了 Cd( II )、Ga( III ) 和 In( III ) 的二乙基二硫代氨基甲酸酯络合物,并通过无溶剂热解串联分解,产生 Ga 或 In 掺杂的 CdS。所得的 M x Cd 1− x S 1+0.5 x(其中 M = Ga/In 在x通过粉末 X 射线衍射分析了 0、0.02、0.04、0.06、0.08 和 0.1 的值)颗粒粉末,结果表明 Ga(通过所有掺杂水平)和 In(在掺杂水平 <8 mol%)均成功结合进入六角形 CdS 晶格,没有任何杂质。拉曼光谱也显示 CdS 没有显着变化。扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱用于研究掺杂 CdS 材料的形貌和元素色散,显示掺杂剂的均匀结合。掺杂的 M x Cd 1− x S 1+0.5 x的光学和发光特性分别通过紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱检
    DOI:
    10.1039/d3dt00239j
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    ROBERTS, J. S.;MCKAY, D. L.;BERTUS, B. J.
    摘要:
    DOI:
点击查看最新优质反应信息

文献信息

  • Luminescent Quaternary Ag(In<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1–<i>x</i></sub>)S<sub>2</sub>/GaS<sub><i>y</i></sub> Core/Shell Quantum Dots Prepared Using Dithiocarbamate Compounds and Photoluminescence Recovery via Post Treatment
    作者:Watcharaporn Hoisang、Taro Uematsu、Tsukasa Torimoto、Susumu Kuwabata
    DOI:10.1021/acs.inorgchem.1c01513
    日期:2021.9.6
    Cadmium-free quantum dots (QDs) consisting of silver–indium–gallium–sulfide (AIGS) quaternary semiconductors were successfully synthesized using a metal–dithiocarbamate complex with sufficiently high reactivity to produce metal sulfides. The introduction of a gallium diethyldithiocarbamate precursor decreased the reaction temperature to produce active intermediates, which were subsequently converted into AIGS
    由银-铟-镓-硫化物(AIGS)四元半导体组成的无镉量子点(QD)使用具有足够高反应性的金属-二硫代氨基甲酸盐配合物成功合成以产生金属硫化物。二乙基二硫代氨基甲酸镓前体的引入降低了反应温度以产生活性中间体,随后在 150°C 下用银和乙酸铟转化为 AIGS QD。由于反应温度低,有选择性地制备了具有四方晶相的 AIGS QD,在其包覆硫化镓 (GaS y) 贝壳。通过改变用于合成 AIGS 核的前驱体的混合比来改变铟/镓的组成比,并且从 AIGS/GaS y核/壳 QD产生的带边光致发光 (PL) 发生蓝移核心中镓含量的增加。因此,获得了以 518 nm 为中心的纯绿色发射,PL 量子产率高达 68%。
  • Crystal structures of tris(diethyldithiorcarbamato)-gallium(III) and indium(III)
    作者:K. Dymock、Gus J. Palenik、J. Slezak、Colin L. Raston、Allan H. White
    DOI:10.1039/dt9760000028
    日期:——
    The crystal structures of the isosturctural title compounds. [Ga(S2C·NEt2)3](I) and [In(S2C·NEt2)3](II), have been determined by direct methods from X-ray diffraction data and refined by full-matrix least-squares to R 0.034 and 0.037 for 1 119(I) and 2 054 (II) observed diffractometer reflections. Crystals are monoclinic, space group A2/a, (Z= 4), with unit-cell dimensions: (I) : a= 14.862 (3), b=
    异结构标题化合物的晶体结构。[Ga(S 2 C·NEt 2)3 ](I)和[In(S 2 C·NEt 2)3 ](II),已通过直接方法从X射线衍射数据确定并通过全矩阵精制对于1 119(I)和2 054(II)观察到的衍射仪反射,最小二乘为R 0.034和0.037。晶体为单斜晶体,空间群A 2 / a,(Z = 4),晶胞尺寸为:(I):a = 14.862(3),b = 10.244(2),c = 17.863(2)Å,β = 117.49(1)°:(II):a= 14.826(5),b= 10.396(5),c= 18.139(3)Å,β= 117.88(3)°。离散分子的阵列代表了[M(S 2 C·NEt 2)3 ]衍生物中的新结构类型。每个分子中的三个配体是准对称的双齿,总体上具有近似D 3的分子对称性(平均Ga–S 2.436,In–S 2.597Å)。
  • Facile noninjection synthesis and photocatalytic properties of wurtzite-phase CuGaS2 nanocrystals with elongated morphologies
    作者:Michelle D. Regulacio、Chen Ye、Suo Hon Lim、Yuangang Zheng、Qing-Hua Xu、Ming-Yong Han
    DOI:10.1039/c3ce40352a
    日期:——
    In this communication, we present the colloidal preparation of ternary CuGaS2 (CGS) nanocrystals that exhibit elongated morphologies and possess the metastable wurtzite crystal structure. A facile noninjection-based synthetic strategy was utilized wherein dithiocarbamate complexes of copper and gallium were thermally decomposed in the presence of dodecanethiol. The anisotropic CGS nanocrystals were found to display promising photocatalytic behaviour under visible-light illumination.
    在这篇通讯中,我们介绍了三元 CuGaS2(CGS)纳米晶体的胶体制备方法,这种纳米晶体呈现出拉长的形态,并具有可蜕变的沃特兹晶体结构。该方法采用了一种简便的非注射式合成策略,即在十二硫醇存在下热分解铜和镓的二硫代氨基甲酸酯复合物。研究发现,各向异性的 CGS 纳米晶体在可见光照射下具有良好的光催化性能。
  • Cracking catalyst improvement with gallium compounds
    申请人:Phillips Petroleum Company
    公开号:US04415440A1
    公开(公告)日:1983-11-15
    Gallium compounds are usefully employed to modify hydrocarbon cracking catalysts.
    镓化合物被有用地应用于改性烃类裂解催化剂。
  • Synthesis, characterization and <i>in vitro</i> cytotoxicity of gallium(<scp>iii</scp>)-dithiocarbamate complexes
    作者:Nicola Salvarese、Nicolò Morellato、Carolina Gobbi、Valentina Gandin、Michele De Franco、Cristina Marzano、Alessandro Dolmella、Cristina Bolzati
    DOI:10.1039/d3dt03552b
    日期:2024.3.5
    that all these complexes have a trigonal prismatic geometry with three identical chelating DTCs coordinating the Ga(III) ion. It is noteworthy that in complex 22, [Ga(NHEt)3] (NHEt = N-ethyldithiocarbamate), the asymmetric unit is formed by two independent and structurally different molecules. Cellular studies showed that all the synthesized Ga-DTC complexes exhibit marked cytotoxic activity, even
    报道了通式[Ga(DTC) 3 ]的均配单核Ga( III )配合物库,其中DTC是脂环族或线性二硫代氨基甲酸酯螯合剂。该配合物以Ga(NO 3 ) 3 ·6H 2 O为起始原料,以高产率制备,并通过元素分析、红外和核磁共振光谱进行了充分表征。获得了其中五个配合物的晶体。评估了新合成的化合物针对一组人类癌细胞系的抗肿瘤活性。 DTC 的化学性质对最终化合物的结构特征没有显着影响。 X射线晶体结构分析表明,所有这些配合物都具有三角棱柱几何形状,具有三个相同的螯合DTCs配位Ga( III )离子。值得注意的是,在配合物22 ,[Ga(NHEt) 3 ](NHEt= N-乙基二硫代氨基甲酸酯)中,不对称单元由两个独立且结构不同的分子形成。细胞研究表明,所有合成的 Ga-DTC 复合物均表现出显着的细胞毒活性,甚至针对对顺铂不太敏感的人类结肠癌细胞。在测试的化合物中, 6个([Ga(CEPipDTC)
查看更多