qunoxalino<2,3-b>quinoxaline | 258-14-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二氮杂萘
• 英文名称: qunoxalino<2,3-b>quinoxaline
• 英文别名: 5,6,11,12-tetraazanaphthacene；quinoxalino[2,3-b]quinoxaline；5,6,11,12-tetraazanaphacene；quinoxalino[2,3-b]quinoxaline；TANC；Chinoxalino[2,3-b]chinoxalin
• CAS: 258-14-0
• 化学式: C₁₄H₈N₄
• 分子量: 232.244
• InChiKey: RKOODWXAVAEOQW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  51.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  qunoxalino<2,3-b>quinoxaline 以 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成 5,12-dihydroquinoxalino[2,3-b]quinoxaline
  参考文献：
  名称：

  喹喔啉并[2,3-b]喹喔啉的电化学还原

  摘要：

  喹喔啉 [2,3-b] 喹喔啉的电化学还原得到氟黄素 (2)，其结构已在讨论中。氟黄素在酸性介质中的电化学还原产生六氢喹喔啉并 [2,3-b] 喹喔啉。基于循环伏安法结果和制备电解提出了一种还原机制。在喹喔啉[2,3-b]喹喔啉情况下获得的结果用于合理化在吡嗪并[2,3-b]吡嗪和吡嗪并[2,3-b]喹喔啉情况下获得的结果。

  DOI：

  10.1139/v82-402
• 作为产物：
  描述：

  alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 在 potassium dichromate 、 溶剂黄146 作用下， 生成 qunoxalino<2,3-b>quinoxaline
  参考文献：
  名称：

  Hinsberg; Pollak, Chemische Berichte, 1896, vol. 29, p. 784

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Versatile Self-Adapting Boronic Acids for H-Bond Recognition: From Discrete to Polymeric Supramolecules
  作者：Irene Georgiou、Simon Kervyn、Alexandre Rossignon、Federica De Leo、Johan Wouters、Gilles Bruylants、Davide Bonifazi

  DOI：10.1021/jacs.6b11362

  日期：2017.2.22

  ortho-substituted boronic acids in solution showed that Ka for 1:1 association is in the range between 300 and 6900 M-1. Crystallization of dimeric 1:1 and trimeric 1:2 and 2:1 complexes enabled an in-depth examination of these complexes in the solid state, proving the selection of the -B(OH)2 syn-syn conformer through a pair of frontal H-bonds with the relevant AA partner. Non-ortho-substituted boronic acids result

  由于硼酸形成四硼酸酯衍生物的独特动态共价反应性，在材料科学和超分子化学中使用它们的芳基衍生物的兴趣已经上升。然而，它们形成 H 键复合物的能力仅受到轻微影响。在此，我们报告了一系列芳香族硼酸的第一个双 H 键 DD·AA 型复合物的第一个溶液和固态结合研究，这些复合物采用具有合适的互补 H 键受体配偶体的顺-syn 构象。溶液中邻位取代硼酸的缔合常数 (Ka) 的首次测定表明，1:1 缔合的 Ka 在 300 和 6900 M-1 之间。二聚体 1:1 和三聚体 1:2 和 2:1 复合物的结晶使我们能够深入研究固态下的这些复合物，证明通过与相关 AA 伙伴的一对正面 H 键选择了 -B(OH)2 syn-syn 构象异构体。非邻位取代的硼酸产生“扁平”复合物。另一方面，具有邻位取代基的空间要求类似物力求通过旋转 ArB(OH)2 部分来保持其识别特性，形成“T 形”复合物。二硼酸和四氮杂
• Synthesis and Characterization of Electron-accepting Nonsubstituted Tetraazaacene Derivatives
  作者：Kyosuke Isoda、Masaharu Nakamura、Toshinori Tatenuma、Hironori Ogata、Tomoaki Sugaya、Makoto Tadokoro

  DOI：10.1246/cl.2012.937

  日期：2012.9.5

  Oligoacenes are of interest as organic p-type semiconductors for use in electronic devices, but their use as n-type semiconductors is limited. N-Heteroacenes have been investigated as oligoacene-based n-type semiconductors due to their enhanced electron affinity. Herein, we report the synthesis, X-ray crystal structures, electrochemical, and field-effect transistor properties of TANC and BTANC.

  低聚亚烯类作为有机 p 型半导体用于电子设备备受关注，但作为 n 型半导体的用途却很有限。由于电子亲和力增强，N-杂环烯已被研究用作低聚亚烯类 n 型半导体。在此，我们报告了 TANC 和 BTANC 的合成、X 射线晶体结构、电化学和场效应晶体管特性。
• Pressure Effect on a Conductive Coordination Compound [Cu(TANC)](F)_0.5with New Radical Frameworks
  作者：Syuma Yasuzuka、Keizo Murata、Harukazu Yoshino、Tsutomu Fujimoto、Masahiro Shimotori、Masaharu Nakamura、Makoto Tadokoro

  DOI：10.1143/jpsj.75.014704

  日期：2006.1.15

  Recently, a conductive coordination compound [Cu(TANC)](F) 0.5 with new radical frameworks was synthesized, where TANC stands for 5,6,11,12-tetraazanaphacene. We have measured the electrical resistivity of [Cu(TANC)](F) 0.5 under high pressures up to 8.0 GPa. At ambient pressure, the temperature dependence of the resistivity shows semiconducting behavior described by a variable range hopping conduction

  最近，合成了一种具有新自由基骨架的导电配位化合物 [Cu(TANC)](F) 0.5，其中 TANC 代表 5,6,11,12-四氮杂萘。我们在高达 8.0 GPa 的高压下测量了 [Cu(TANC)](F) 0.5 的电阻率。在环境压力下，电阻率的温度依赖性显示出由可变范围跳跃传导 ρ( T ) ∼ exp ( T 0 / T ) η 描述的半导体行为。T 0 的值随着压力的增加而增加，最高可达 6.5 GPa，超过此值会突然下降。T 0 的压力依赖性是从一维纯度的增加和由于无序F - 离子引起的随机势强度的增加方面进行讨论的。
• BI- AND TRI- LAYER INTERFACIAL LAYERS IN PEROVSKITE MATERIAL DEVICES
  申请人：Hunt Perovskite Technologies, L.L.C.

  公开号：EP3706181A1

  公开（公告）日：2020-09-09

  The present invention relates to a perovskite material and a method of producing such. The method comprises the steps of: preparing a lead halide precursor ink, depositing the lead halide precursor ink onto a substrate; drying the lead halide precursor ink to form a thin film; and depositing a second solvent and a salt onto the thin film. Preparing a lead halide precursor ink comprises the steps of: introducing a lead halide into a vessel; introducing a first solvent into the vessel; contacting the lead halide with the first solvent to dissolve the lead halide; and introducing water into the vessel.

  本发明涉及一种过氧化物材料和生产这种材料的方法。该方法包括以下步骤：制备卤化铅前驱体油墨，将卤化铅前驱体油墨沉积到基底上；干燥卤化铅前驱体油墨以形成薄膜；以及将第二种溶剂和盐沉积到薄膜上。制备卤化铅前驱体油墨包括以下步骤：将卤化铅引入容器；将第一溶剂引入容器；卤化铅与第一溶剂接触以溶解卤化铅；以及将水引入容器。
• Doped nickel oxide interfacial layer
  申请人：Hunt Energy Enterprises, L.L.C.

  公开号：US10189998B2

  公开（公告）日：2019-01-29

  Photovoltaic devices such as solar cells, hybrid solar cell-batteries, and other such devices may include an active layer disposed between two electrodes. The active layer may have perovskite material and other material such as mesoporous material, interfacial layers, thin-coat interfacial layers, and combinations thereof. The perovskite material may be photoactive. The perovskite material may be disposed between two or more other materials in the photovoltaic device. Inclusion of these materials in various arrangements within an active layer of a photovoltaic device may improve device performance. Other materials may be included to further improve device performance, such as, for example: additional perovskites, and additional interfacial layers.

  太阳能电池、混合太阳能电池-电池等光电设备可包括设置在两个电极之间的有源层。有源层可以有包晶石材料和其他材料，例如介孔材料、界面层、薄涂层界面层及其组合。过氧化物材料可能具有光活性。在光伏设备中，可将过氧化物材料置于两种或多种其他材料之间。在光电设备的有源层中以各种排列方式加入这些材料可提高设备性能。为进一步提高设备性能，还可加入其他材料，例如：额外的过氧化物和额外的界面层。