N,N-di[4-(trifluoromethyl)benzyl]pyromellitic diimide | 1075706-55-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 异吲哚及其衍生物
• 英文名称: N,N-di[4-(trifluoromethyl)benzyl]pyromellitic diimide
• 英文别名: 2,6-Bis[4-(trifluoromethyl)benzyl]-2,6-diaza-s-indacene-1,3,5,7(2H,6H)-tetraone；2,6-bis[[4-(trifluoromethyl)phenyl]methyl]pyrrolo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7-tetrone
• CAS: 1075706-55-6
• 化学式: C₂₆H₁₄F₆N₂O₄
• 分子量: 532.399
• InChiKey: ADAIOOQMFOINIT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.6
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.15
• 拓扑面积：
  74.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  均苯四甲酸二酐 、 4-(三氟甲基)苄胺 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成 N,N-di[4-(trifluoromethyl)benzyl]pyromellitic diimide
  参考文献：
  名称：

  均苯四甲酸二酰亚胺：用于高迁移率 n 沟道晶体管半导体的最少内核

  摘要：

  通过均苯四酸二酐与各种胺之间的一种常规反应，以高产率合成了三种均苯四酸二酰亚胺。由这些均苯四酸二亚胺衍生物制成的薄膜表现出高达 0.079 cm2/(Vs) 的迁移率。此外，n 沟道器件的开/关比高达 1 000 000。

  DOI：

  10.1021/ja805746h

文献信息

• [EN] PYROMELLITIC DIIMIDE ORGANIC SEMICONDUCTORS AND DEVICES<br/>[FR] SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES À BASE DE DIIMIDE PYROMELLITIQUE ET DISPOSITIFS
  申请人：UNIV JOHNS HOPKINS

  公开号：WO2010011658A3

  公开（公告）日：2010-05-14
• PYROMELLITIC DIIMIDE ORGANIC SEMICONDUCTORS AND DEVICES
  申请人：Katz Howard Edan

  公开号：US20110163301A1

  公开（公告）日：2011-07-07

  n-type organic semiconductors have a pyromellitic diimide structure and electronic or electro-optic devices include pyromellitic diimide compounds as organic semiconductors. Specific semiconductors include pyromellitic diimide compounds have sidechains comprising fluorine substituted aliphatic or aromatic moieties linked to the pyromellitic diimide structure by an alkylene or heteroalkylene linking group. An electronic or electro-optic device includes a first electrode, a second electrode space apart from the first electrode, and an organic semiconductor layer arranged between the first and second electrodes. The organic semiconductor layer comprises a pyromellitic diimide compound.
• US8269215B2
  申请人：——

  公开号：US8269215B2

  公开（公告）日：2012-09-18
• Pyromellitic Diimides: Minimal Cores for High Mobility n-Channel Transistor Semiconductors
  作者：Qingdong Zheng、Jia Huang、Amy Sarjeant、Howard E. Katz

  DOI：10.1021/ja805746h

  日期：2008.11.5

  Three pyromellitic diimides were synthesized in high yields by one conventional reaction between pyromellitic dianhydride and various amines. The films made from these pyromellitic diimides derivatives exhibit a mobility up to 0.079 cm2/(V.s). In addition, the on/off ratios of n-channel devices are as high as 1 000 000.

  通过均苯四酸二酐与各种胺之间的一种常规反应，以高产率合成了三种均苯四酸二酰亚胺。由这些均苯四酸二亚胺衍生物制成的薄膜表现出高达 0.079 cm2/(Vs) 的迁移率。此外，n 沟道器件的开/关比高达 1 000 000。