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2,6-bis(5'-hexylbithiophen-2'-yl)naphthalene | 1422688-94-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,6-bis(5'-hexylbithiophen-2'-yl)naphthalene
英文别名
2-Hexyl-5-[5-[6-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]naphthalen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene;2-hexyl-5-[5-[6-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]naphthalen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
2,6-bis(5'-hexylbithiophen-2'-yl)naphthalene化学式
CAS
1422688-94-5
化学式
C38H40S4
mdl
——
分子量
625.0
InChiKey
NIIDGZOZQVFTJW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    14.2
  • 重原子数:
    42
  • 可旋转键数:
    14
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.32
  • 拓扑面积:
    113
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    有机薄膜晶体管用新型p型烷基联噻吩封端的蒽和萘衍生物的合成与表征。
    摘要:
    具有萘和蒽核心以及己基化的噻吩侧基,2,6-双(5'-己基联噻吩-2'-基)萘(HBT-NA)和2,6-双(5'-己基联噻吩-2'-合成了yl)蒽(HBT-AN)。使用FT-IR,1H-NMR,质谱和元素分析对HBT-AN和HBT-NA进行表征。HBT-AN和HBT-NA具有良好的热稳定性,表现出良好的有序晶体,HBT-AN在447摄氏度和HBT-NA在434摄氏度的重量减轻了5%。通过研究溶液和薄膜中的UV-可见光和光致发光(PL),可以观察到相邻分子之间的密排结构。发现HBT-NA和HBT-AN的HOMO能级分别为5.47eV和5.42eV。HBT-NA的空穴迁移率为8.4 x 10(-2)cm2Ns,开/关比为5.6 x 10(5)。HBT-AN显示5。
    DOI:
    10.1166/jnn.2012.5912
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文献信息

  • Synthesis and Characterization of Novel <I>p</I>-Type Alkyl Bithiophene End-Capped Anthracene and Naphthalene Derivatives for Organic Thin-Film Transistors
    作者:Hye Jin Koh、Sang Hun Jang、Chul Young Kim、Sung Chul Shin、Yun-Hi Kim、Soon-Ki Kwon
    DOI:10.1166/jnn.2012.5912
    日期:2012.5.1
    New semiconductors having naphthalene and anthracene cores with hexylated bithiophene side units, 2,6-bis(5'-hexylbithiophen-2'-yl)naphthalene (HBT-NA) and 2,6-bis(5'-hexylbithiophen-2'-yl)anthracene (HBT-AN), were synthesized. HBT-AN and HBT-NA were characterized using FT-IR, 1H-NMR, Mass spectrum and elemental analysis. HBT-AN and HBT-NA showed well ordered crystalline with high thermal stabilities
    具有萘和蒽核心以及己基化的噻吩侧基,2,6-双(5'-己基联噻吩-2'-基)萘(HBT-NA)和2,6-双(5'-己基联噻吩-2'-合成了yl)蒽(HBT-AN)。使用FT-IR,1H-NMR,质谱和元素分析对HBT-AN和HBT-NA进行表征。HBT-AN和HBT-NA具有良好的热稳定性,表现出良好的有序晶体,HBT-AN在447摄氏度和HBT-NA在434摄氏度的重量减轻了5%。通过研究溶液和薄膜中的UV-可见光和光致发光(PL),可以观察到相邻分子之间的密排结构。发现HBT-NA和HBT-AN的HOMO能级分别为5.47eV和5.42eV。HBT-NA的空穴迁移率为8.4 x 10(-2)cm2Ns,开/关比为5.6 x 10(5)。HBT-AN显示5。
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