N-hexyl-2,2':5',2'':5'',2'''-quaterthiophene-4',3''-dicarboximide | 1043023-69-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: N-hexyl-2,2':5',2'':5'',2'''-quaterthiophene-4',3''-dicarboximide
• 英文别名: 8-Hexyl-4,12-dithiophen-2-yl-3,13-dithia-8-azatricyclo[8.3.0.02,6]trideca-1(10),2(6),4,11-tetraene-7,9-dione
• CAS: 1043023-69-3
• 化学式: C₂₄H₂₁NO₂S₄
• 分子量: 483.7
• InChiKey: ZGCGITMHNFZDES-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7
• 重原子数：
  31
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  150
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N-(n-hexyl)-5,5'-dibromo-2,2’-bithiophene-3,3’-dicarboximide 、 2-三丁基甲锡烷基噻吩 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 0.08h， 以26%的产率得到N-hexyl-2,2':5',2'':5'',2'''-quaterthiophene-4',3''-dicarboximide
  参考文献：
  名称：

  n 沟道聚合物的设计：优化聚合双噻吩-酰亚胺半导体中增溶取代基、晶体堆积和场效应晶体管特性的相互作用

  摘要：

  用于场效应晶体管的电子传输（n 沟道）聚合物半导体很少见。在这项研究中，报告了新的电子耗尽 N-烷基-2,2'-bithiophene-3,3'-dicarboximide 基 pi 共轭均聚物和包含 2,2'-bithiophene 单元的共聚物的合成和表征。一种新颖的设计方法使用计算建模来确定有利的单体特性，例如核心平面度、增溶取代基的可定制性和适当的电子亲和力，并获得令人满意的结果。合成单体模型化合物以确认这些特性，晶体结构显示出短的 3.43 A pi-pi 堆积距离和有利的增溶取代基取向。然后分别通过 Yamamoto 和 Stille 聚合合成了 10 种均聚物和联噻吩共聚物。其中两种聚合物可在常见有机溶剂中加工：均聚物聚（N-（2-辛基十二烷基）-2,2'-二噻吩-3,3'-二甲酰亚胺）（P1）表现出 n 沟道 FET 活性，共聚物poly(N-(2-octyldodecyl)-2

  DOI：

  10.1021/ja710815a

文献信息

• US8859714B1
  申请人：——

  公开号：US8859714B1

  公开（公告）日：2014-10-14