Ta(OEt)4(thd) | 177580-52-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 原羧酸衍生物
• 英文名称: Ta(OEt)4(thd)
• CAS: 177580-52-8
• 化学式: C₁₉H₃₉O₆Ta
• 分子量: 544.463
• InChiKey: ZRIVOMQQNNACTM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 tantalum pentaethoxide 以 正己烷 为溶剂， 生成 Ta(OEt)4(thd)
  参考文献：
  名称：

  Metal–organic chemical vapour deposition of lead scandium tantalate: chemical issues and precursor selection

  摘要：

  MOCVD is a promising technique for the deposition of the pyroelectric oxide lead scandium tantalate, Pb(Sc0.5Ta0.5)O-3. In order to exploit the full potential of the method, it is important to identify the optimum combination of precursors so that process parameters and film properties are optimised. In this paper, issues involved in the selection of suitable Pb, Sc and Ta precursors are discussed and the molecular design of new Ta and Sc sources is described. It is shown how the use of carefully matched precursors allows the growth of Pb(Sc0.5Ta0.5)O-3 in the required perovskite phase at low substrate temperatures. (C) 2000 Elsevier Science Ltd All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/s0277-5387(99)00365-4