| 1204571-25-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• CAS: 1204571-25-4
• 化学式: C₂₈H₃₆S₆Si₄
• 分子量: 677.332
• InChiKey: NFMXVFXSOPMPEQ-RXGVRZIVSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  10.59
• 重原子数：
  38.0
• 可旋转键数：
  4.0
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  6.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  在 间氯过氧苯甲酸 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 2.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  含平面环辛八烯环的二噻吩并[3,4-b：3'，4'-d]噻吩环状二聚体的氧化：在反应过程中保留高抗芳烃性。

  摘要：

  进行了二噻吩并[3,4-b：3'，4'-d]噻吩环状二聚体的单电子和过酸氧化反应，该二聚体含有抗芳族平面环辛酸酯（COT）核。环状二聚体与SbCl5的反应生成可分离的自由基阳离子盐。密度泛函理论（DFT）计算表明，自由基阳离子的自旋密度不位于COT环上，而是位于噻吩单元中的外围硫和碳原子上，并具有基于核独立的化学位移（NICS）的高抗芳烃性。发现环状二聚体的过酸氧化不是在COT环上进行，而是在二噻吩并噻吩部分中的桥连硫原子上进行。根据相对硬度，通过实验证实了亚砜形成后，COT环的高抗芳烃性得以保留，并且在理论上也受到NICS计算的支持。有趣的是，DFT计算表明，高抗芳烃性不会增强对COT环上环氧化的反应性。

  DOI：

  10.1002/cplu.201900064
• 作为产物：
  描述：

  C₁₄H₂₀S₃Si₂ 在 正丁基锂 、 copper dichloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 以45%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  由带有抗芳环辛四烯核的硅和硫桥平面化的环状四噻吩：合成、结构和性能

  摘要：

  设计并合成了由二甲基甲硅烷基、硫和砜桥平面化的环状四噻吩 1、2 和 3，它们带有抗芳香环二碳四烯 (COT) 核，以研究 COT 环的弯曲角、副向性和 HOMO-LUMO 间隙之间的关系。对1-3的中心COT环的弯曲角度进行了理论估计和实验确定，发现利用键的微小差异，以2>3>1的顺序精细调整COT环的平面度桥接单元和噻吩环之间的长度。从 NICS 值的比较和计算的环辛四烯在不同弯曲角度的 HOMO-LUMO 间隙以及环四噻吩 1-3 的优化结构，在环辛四烯和环状四噻吩 1-3 中，随着 COT 环弯曲角的减小，类似的副向性增强和 HOMO-LUMO 间隙变窄均显示出来。这种预测首次通过 (1)H NMR 和 1-3 的 UV-vis 测量得到了实验证明。将 1-3 的 (1)H NMR 化学位移与相应前体的化学位移进行比较，观察到由于 COT 环中的旁向环电流引起的上场位移，并且位移程度随着

  DOI：

  10.1021/ja908161r