5,5'''''''''-bis(allyloxymethyl)-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene | 1393657-86-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 5,5'''''''''-bis(allyloxymethyl)-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene
• CAS: 1393657-86-7
• 化学式: C₈₀H₉₈O₂S₁₀
• 分子量: 1412.32
• InChiKey: QWNUMGCWYBSWQW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  30.32
• 重原子数：
  92.0
• 可旋转键数：
  45.0
• 环数：
  10.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.45
• 拓扑面积：
  18.46
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  12.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三乙氧基硅烷 、 5,5'''''''''-bis(allyloxymethyl)-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene 在 铂(0)-1,3-二乙烯-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以58%的产率得到5,5'''''''''-bis[3-(triethoxysilyl)propoxymethyl]-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2''':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene
  参考文献：
  名称：

  Oligothiophenes incorporated in a polysilsesquioxane network: application to tunable transparent conductive films

  摘要：

  我们合成了含有长低聚噻吩（从八聚体到十二聚体）的新型聚硅烷基喹喔啉。聚合物薄膜的循环伏安法和吸收光谱显示，随着低聚噻吩单元长度的增加，氧化电位发生负移，吸收带发生红移。电荷载流子的电导率和迁移率随掺杂水平的变化而变化，其最大值也随低聚噻吩单元长度的增加而增加。聚合物薄膜的功函数可通过提高掺杂水平在 5.3 至 5.7 eV 之间进行调整。与单体薄膜的比较表明，聚合物网络的刚性对聚合物薄膜的机械、光谱、电化学和电学性能有很大影响。

  DOI：

  10.1039/c2jm32259e
• 作为产物：
  描述：

  5,5'''''''''-bis(hydroxymethyl)-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5''',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene 、 3-溴丙烯 在 sodium hydride 作用下， 以 四氢呋喃 、 mineral oil 为溶剂， 以27%的产率得到5,5'''''''''-bis(allyloxymethyl)-3'''',3'''''''',4',4'''''-tetraoctyl-2,2':5',2'':5'',2''':5''',2'''':5'''',2''''':5''''',2'''''':5'''''',2''''''':5''''''',2'''''''':5'''''''',2'''''''''-decathiophene
  参考文献：
  名称：

  Oligothiophenes incorporated in a polysilsesquioxane network: application to tunable transparent conductive films

  摘要：

  我们合成了含有长低聚噻吩（从八聚体到十二聚体）的新型聚硅烷基喹喔啉。聚合物薄膜的循环伏安法和吸收光谱显示，随着低聚噻吩单元长度的增加，氧化电位发生负移，吸收带发生红移。电荷载流子的电导率和迁移率随掺杂水平的变化而变化，其最大值也随低聚噻吩单元长度的增加而增加。聚合物薄膜的功函数可通过提高掺杂水平在 5.3 至 5.7 eV 之间进行调整。与单体薄膜的比较表明，聚合物网络的刚性对聚合物薄膜的机械、光谱、电化学和电学性能有很大影响。

  DOI：

  10.1039/c2jm32259e