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bis(4-fluorophenyl)disulfone | 125568-44-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
bis(4-fluorophenyl)disulfone
英文别名
di(4-fluorophenyl)disulfone;1-Fluoro-4-(4-fluorophenyl)sulfonylsulfonylbenzene;1-fluoro-4-(4-fluorophenyl)sulfonylsulfonylbenzene
bis(4-fluorophenyl)disulfone化学式
CAS
125568-44-7
化学式
C12H8F2O4S2
mdl
——
分子量
318.322
InChiKey
AOXKCCRPCGPYLO-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.5
  • 重原子数:
    20
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    85
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    烯丙苯bis(4-fluorophenyl)disulfone2,4,6-Triisopropylthiophenol 、 3,7-di([1,1′-biphenyl]-4-yl)-10-(naphthalen-1-yl)-10H-phenoxazine 、 氧气potassium carbonate 作用下, 以90 %的产率得到1-fluoro-4-((3-phenylpropyl)sulfonyl)benzene
    参考文献:
    名称:
    未活化烯烃的氢磺酰化涉及通过能量转移模拟光催化活化对称二砜产生磺酰基自由基
    摘要:
    使用 2,4,6-三异丙基苯硫酚作为氢原子供体 (HD),开发了未活化烯烃与对称二砜的可见光光催化氢磺酰化反应。涉及通过可见光光催化活化从二砜产生两个磺酰基自由基。机理研究排除了两个磺酰自由基是通过能量转移机制由对称二砜产生的,正如之前在较低氧化态硫-硫基反应物(即硫代磺酸盐和二硫化物)中发现的那样。相反,会发生能量转移模拟过程。这涉及通过用二砜氧化猝灭激发的光催化剂 (*PC) 来实现光诱导电子转移 (PET),生成磺酰基自由基和亚磺酸盐副产物,然后用该副产物 (SET) 还原氧化的光催化剂 (PC •+ ) )产生第二个磺酰自由基和光催化剂(PC)。氢磺酰化反应可以在室温下在碳酸二甲酯中进行,具有广泛的官能团兼容性,并且如果使用2,4,6-三取代苯硫酚作为HD,则可以轻松回收生成的二硫化物副产物。未活化烯烃的可见光光催化氢磺酰化反应与使用绿色指标的最先进技术进行了比较。
    DOI:
    10.1021/acscatal.4c02866
  • 作为产物:
    描述:
    4-Fluor-phenylsulfinylessigsaeure 在 tris(2,2'-bipyridine)iron(III) perchlorate 作用下, 以 乙腈 为溶剂, 反应 48.0h, 生成 bis(4-fluorophenyl)disulfone
    参考文献:
    名称:
    速率确定步骤的范式转变,从苯基亚磺酰基乙酸和铁(III)聚吡啶基络合物之间的单电子转移到水对所产生的亚砜自由基阳离子的亲核攻击:非线性哈米特
    摘要:
    分光光度法研究了铁(III)聚吡啶基络合物在乙腈介质中氧化苯磺酰乙酸(PSAAs)的氧化脱羧机理。PSAA和[Fe(NN)3 ] 3+之间的初始中间形成是通过观察到的Michaelis-Menten动力学和对PSAA的分数阶依赖性来确定的。浓度[Fe(NN)3 ] 3+的显着速率延迟通过在较高浓度下通过亲核攻击,在与金属多吡啶基配合物的环氮相邻的碳原子上的水分子配位的基础上,使水合价合理化。PSAA中的吸电子和放电子取代基促进了反应,哈米特相关性给出了向上的“ V”形曲线。通过将取代基从释放电子基团转变为吸电子基团,从电子转移到亲核进攻的速率决定步骤的变化,可以使表观的向上弯曲合理化。PSAA中的释放电子的取代基会加速电子从PSAA转移到络合物,并通过共振相互作用稳定中间体,从而导致负反应常数(ρ)。相反,吸电子基团2 ø其导致ρ的低幅度+相比高ρ -电子释放基团的值。应用了马库斯(Mar
    DOI:
    10.1002/poc.3571
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文献信息

  • RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYPHENOLIC COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION, AND ALCOHOLIC COMPOUND THAT CAN BE DERIVED THEREFROM
    申请人:Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
    公开号:US20160145231A1
    公开(公告)日:2016-05-26
    A resist composition containing a compound represented by the general formula (1) or (2), a method for forming a resist pattern using the composition, a polyphenolic compound for use in the composition, and an alcoholic compound that can be derived therefrom are described.
    描述了一种包含由通式(1)或(2)表示的化合物的光刻胶组合物,使用该组合物形成光刻胶图案的方法,用于该组合物的多酚化合物,以及可以由其衍生的醇化合物。
  • OPTICAL COMPONENT FORMING COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF
    申请人:Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
    公开号:US20200262787A1
    公开(公告)日:2020-08-20
    The present invention provides an optical component forming composition comprising a tellurium-containing compound or a tellurium-containing resin.
    本发明提供了一种包括含碲化合物或含碲树脂的光学元件成型组合物。
  • Compound for Resist and Radiation-Sensitive Composition
    申请人:Echigo Masatoshi
    公开号:US20080113294A1
    公开(公告)日:2008-05-15
    A radiation-sensitive composition containing 1 to 80% by weight of a solid component and 20 to 99% by weight of a solvent. The solid component contains a compound B which has (a) a structure derived from a polyphenol compound A by introducing an acid-dissociating group to at least one phenolic hydroxyl group of the polyphenol compound A which is synthesized by a condensation between a di- to tetrafunctional aromatic ketone or aromatic aldehyde each having 5 to 36 carbon atoms with a compound having 1 to 3 phenolic hydroxyl groups and 6 to 15 carbon atoms, and (b) a molecular weight of 400 to 2000. The composition containing the compound B is useful as an acid-amplified, non-polymeric resist material, because it is highly sensitive to radiation such as KrF excimer lasers, extreme ultraviolet rays, electron beams, and X-rays, and provides resist patterns with a high resolution, high heat resistance, and high etching resistance.
    一种辐射敏感的组合物,包含1至80重量%的固体组分和20至99重量%的溶剂。固体组分包含化合物B,其具有(a)通过向多酚化合物A的至少一个酚羟基引入酸解离基而导出的结构,多酚化合物A通过二元至四元芳香酮或芳香醛的缩合反应,每个具有5至36个碳原子的化合物与具有1至3个酚羟基和6至15个碳原子的化合物结合,并且(b)分子量为400至2000。含有化合物B的组合物非常敏感于辐射,例如KrF准分子激光器,极紫外线,电子束和X射线,并且提供具有高分辨率,高耐热性和高蚀刻抗性的抗阻图案,因此可用作酸放大的非聚合物抗阻材料。
  • CYCLIC COMPOUND, PRODUCTION PROCESS THEREOF, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
    申请人:Takasuka Masaaki
    公开号:US20120282546A1
    公开(公告)日:2012-11-08
    Disclosed are: a cyclic compound which has high solubility in a safe solvent, is highly sensitive, enables the formation of a resist pattern having a good shape, and rarely causes resist pattern collapse; a process for producing the cyclic compound; a radiation-sensitive composition containing the cyclic compound; and a resist pattern formation method using the composition. Specifically disclosed are: a cyclic compound having a specific structure; a process for producing the cyclic compound; a radiation-sensitive composition containing the compound; and a resist pattern formation method using the composition.
    本发明涉及一种具有高溶解度、高灵敏度、能够形成良好形状的抗蚀图案,且很少引起抗蚀图案崩塌的环状化合物;一种制备该环状化合物的方法;一种含有该环状化合物的辐射敏感组合物;以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。具体揭示了一种具有特定结构的环状化合物,制备该环状化合物的方法,含有该化合物的辐射敏感组合物以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
  • COMPOUND, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
    申请人:Echigo Masatoshi
    公开号:US20130122423A1
    公开(公告)日:2013-05-16
    The object is to provide a compound having high dissolvability in a safe solvent and high sensitivity, and also capable of obtaining a good resist pattern shape, a radiation-sensitive composition containing the same, and a resist pattern formation method using the composition. For this purpose, a compound (B) obtained by reaction between a polyphenol based cyclic compound (A) and a compound (C) having a particular structure, a radiation-sensitive composition containing the same, and a resist pattern formation method using the composition are provided.
    本发明的目的是提供一种在安全溶剂中具有高溶解度和高灵敏度的化合物,同时还能获得良好的抗蚀图案形状,包含该化合物的辐射敏感组合物以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。为此,提供了通过多酚基环状化合物(A)和具有特定结构的化合物(C)反应得到的化合物(B),包含该化合物的辐射敏感组合物以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
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