4,8-Bis(2-phenylethynyl)thieno[2,3-f][1]benzothiole | 1418748-24-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 4,8-Bis(2-phenylethynyl)thieno[2,3-f][1]benzothiole
• CAS: 1418748-24-9
• 化学式: C₂₆H₁₄S₂
• 分子量: 390.529
• InChiKey: CWUWTKGZHWDRQL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8
• 重原子数：
  28
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  癸硼烷 、 4,8-Bis(2-phenylethynyl)thieno[2,3-f][1]benzothiole 在 silver nitrate 作用下， 以 乙腈 、 甲苯 为溶剂， 反应 73.0h， 以10%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  双邻碳硼烷取代的苯并二噻吩中顺式和反式构象的调节以及固化对发光效率的发射增强作用

  摘要：

  合成了具有或不具有叔丁基取代基的双碳环烷取代的苯并二噻吩。发现通过引入叔丁基取代基可以调节它们的三维构象。两种分子均显示出发射增强行为，尤其是在固态下。

  DOI：

  10.1002/ejoc.201701641
• 作为产物：
  描述：

  苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-4,8-二酮 、 苯乙炔 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 4,8-Bis(2-phenylethynyl)thieno[2,3-f][1]benzothiole
  参考文献：
  名称：

  基于双（邻-甲硼烷）取代的苯并二噻吩结构的热致变色染料的设计

  摘要：

  为了获得具有激发响应的发光致变色特性而无相变的固态发光材料，设计并合成了邻二甲烷中相邻两个苯环上具有多个取代基的两个邻甲碳烷单元改性的苯并联噻吩。它们的发射颜色不仅受到苯环对位的取代基的强烈影响，还受到固态分子分布的强烈影响。特别地，通过加热而没有结晶相变来改变发光颜色。有人提出，它们的热致变色特性与异构化无关，而与在扭曲的苯并二噻吩部分处的分子运动有关。

  DOI：

  10.1002/asia.201801529

文献信息

• Well-defined silica-supported molybdenum nitride species: silica grafting triggers alkyne metathesis activity
  作者：Marie Genelot、Nicolas P. Cheval、Marta Vitorino、Elise Berrier、Jean-Marc Weibel、Patrick Pale、André Mortreux、Régis M. Gauvin

  DOI：10.1039/c3sc50325a

  日期：——

  The grafting of [Mo(N)(NR2)(OR)2(pyr)] (R = SiMe3, pyr = pyridine) onto highly dehydroxylated silica proceeds to the formation of well-defined silica-supported species. Whereas the molecular precursor is inactive towards alkyne metathesis, its immobilized counterpart displays high activity, which can be significantly enhanced by the addition of 2 equivalents of B(C6F5)3.

  [Mo(N)(NR2)(OR)2(pyr)]（R = SiMe3，pyr = 吡啶）接枝到高度脱羟基的二氧化硅上，形成明确的二氧化硅负载物质。虽然分子前体对炔复分解反应没有活性，但其固定化对应物却表现出高活性，通过添加 2 当量的 B(C6F5)3 可以显着增强活性。
• ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR DEVICE AND ORGANIC THIN FILM LIGHT-EMITTING TRANSISTOR
  申请人：Nakano Yuki

  公开号：US20100012929A1

  公开（公告）日：2010-01-21

  An organic thin film transistor including a substrate having thereon at least three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer and an organic semiconductor layer, with a current between a source and a drain being controlled upon application of a voltage to the gate electrode, wherein the organic semiconductor layer includes a compound having a specified structure; and an organic thin film light emitting transistor utilizing an organic thin film transistor, wherein the organic thin film transistor is one in which light emission is obtained utilizing a current flowing between the source and the drain, and the light emission is controlled upon application of a voltage to the gate electrode, and is made high with respect to the response speed (driving speed) and has a large ON/OFF ratio, are provided.
• US8217389B2
  申请人：——

  公开号：US8217389B2

  公开（公告）日：2012-07-10