摘要 开发了一种在室温下在玻璃基板上制备硒化汞 (HgSe) 薄膜的化学方法。以新型络合物甲酰胺汞和硒代硫酸钠为硒化物释放剂,制备了硒化汞薄膜。添加聚乙烯吡咯烷酮作为次要添加剂,提高了薄膜的附着力和均匀性。进行 X 射线衍射、光吸收和电测量以表征硒化汞的沉积。发现这些薄膜是非晶 p 型半导体,能隙为 1.42eV。
摘要 开发了一种在室温下在玻璃基板上制备硒化汞 (HgSe) 薄膜的化学方法。以新型络合物甲酰胺汞和硒代硫酸钠为硒化物释放剂,制备了硒化汞薄膜。添加聚乙烯吡咯烷酮作为次要添加剂,提高了薄膜的附着力和均匀性。进行 X 射线衍射、光吸收和电测量以表征硒化汞的沉积。发现这些薄膜是非晶 p 型半导体,能隙为 1.42eV。