naphthalene-2,6-diylbis(diphenylphosphine oxide) | 3095-35-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: naphthalene-2,6-diylbis(diphenylphosphine oxide)
• 英文别名: 2,6-Bis-diphenylphosphinyl-naphthalin；2,6-Naphthylen-bis-diphenylphosphinoxyd；2,6-naphthylenebis(diphenyl-phosphine oxide)；2,6-Bis(diphenylphosphoryl)naphthalene
• CAS: 3095-35-0
• 化学式: C₃₄H₂₆O₂P₂
• 分子量: 528.527
• InChiKey: JPOOWALPTHCKDU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.4
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  6-溴-2-萘酚 在 bis(1,5-cyclooctadiene)nickel (0) 、 potassium carbonate 、 三乙胺 、 1,2-双(二环己基磷基)-乙烷 作用下， 以 1,4-二氧六环 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 18.0h， 生成 naphthalene-2,6-diylbis(diphenylphosphine oxide)
  参考文献：
  名称：

  通过镍催化的 C-O/P-H 交叉偶联形成 C-P 键的反应

  摘要：

  公开了第一个 Ni 催化的 CO/PH 交叉偶联产生有机磷化合物。该方法在 CO 和 PH 化合物方面具有广泛的通用性：对于 CO 化合物，适用于容易获得的芳基、烯基、苄基和烯丙基的醇衍生物，对于 PH 化合物，均 >P(V)(O)H化合物（仲氧化膦、H-次膦酸盐和H-膦酸盐）和氢膦（>P(III)H）可用作底物。因此，通过这种新策略，可以轻松获得各种有价值的 C(sp(2))-P 和 C(sp(3))-P 化合物。

  DOI：

  10.1021/ja512498u

文献信息

• N-Doped Semiconducting Material Comprising Phosphine Oxide Matrix and Metal Dopant
  申请人：NOVALED GMBH

  公开号：US20160322568A1

  公开（公告）日：2016-11-03

  The present invention relates to an electrically doped semiconducting material comprising at least one metallic element as n-dopant and at least one electron transport matrix compound comprising at least one phosphine oxide group, a process for its preparation, and an electronic device comprising the electrically doped semiconducting material.

  本发明涉及一种电掺杂半导体材料，包括至少一种金属元素作为n型掺杂剂和至少一种含有至少一个膦氧基团的电子传输基质化合物，以及其制备方法和包括该电掺杂半导体材料的电子器件。
• N-doped semiconducting material comprising phosphine oxide matrix and metal dopant
  申请人：Novaled GmbH

  公开号：EP2887416A1

  公开（公告）日：2015-06-24

  The present invention relates to an electrically doped semiconducting material comprising at least one metallic element as n-dopant and at least one electron transport matrix compound comprising at least one phosphine oxide group, a process for its preparation, and an electronic device comprising the electrically doped semiconducting material.

  本发明涉及一种电掺杂半导体材料，该材料包含至少一种作为正掺杂剂的金属元素和至少一种包含至少一个氧化膦基团的电子传输基质化合物，还涉及一种制备该材料的工艺，以及一种包含该电掺杂半导体材料的电子器件。
• N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL COMPRISING PHOSPHINE OXIDE MATRIX AND METAL DOPANT
  申请人：Novaled GmbH

  公开号：EP3087621A1

  公开（公告）日：2016-11-02