我们报告了一种新颖的合成方法,以超高纯度的7,14-双((三甲基甲
硅烷基)
乙炔基)二苯并[ b,def]-((TMS-DBC)并通过溶液和气相沉积技术将该材料用于单晶生长。我们观察到底物温度对晶体生长具有显着影响,产生了两种不同的TMS-DBC多晶型物。低温(LT)红色细针和高温(HT)
大黄色血小板。单晶X射线晶体学确定了堆积结构,其中LT晶体形成一维滑移堆叠结构,而HT晶体采用2D砖砌图案。这些多晶型物也代表了一个罕见的例子,其中两者都非常稳定,并且在溶剂或热退火后不会互变为其他晶体结构。LT和HT晶体的单晶有机场效应晶体管显示,HT 2D砖砌图案产生的空穴迁移率高达2.1 cm2 V –1 s –1,而一维结构的迁移率则更低,为0.028 cm 2 V –1 s –1。电子结构计算表明,与滑动堆叠多晶型物相比,砖砌多晶型物具有更好的电荷传输,这是由于电荷迁移途径的维数增加所致。