2-N-tert-butylamino-2-methylpropanal-N-tert-butylimine | 92779-60-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 2-N-tert-butylamino-2-methylpropanal-N-tert-butylimine
• CAS: 92779-60-7
• 化学式: C₁₂H₂₆N₂
• 分子量: 198.352
• InChiKey: TXDYFENZMYXKBV-UKTHLTGXSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.02
• 重原子数：
  14.0
• 可旋转键数：
  2.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.92
• 拓扑面积：
  24.39
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  manganese(II) bis(trimethylsilyl)amide 、 2-N-tert-butylamino-2-methylpropanal-N-tert-butylimine 以 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  [EN] METAL COMPLEXES CONTAINING AMIDOIMINE LIGANDS
  [FR] COMPLEXES MÉTALLIQUES CONTENANT DES LIGANDS AMIDOIMINE

  摘要：

  提供了含有一个或多个氨基亚胺配体的金属配合物、制备这种金属配合物的方法以及使用这种金属配合物制备含金属薄膜的方法。

  公开号：

  WO2015065823A1
• 作为产物：
  描述：

  叔丁胺 、 2-溴-2-甲基丙醛 以 乙醚 为溶剂， 以77 %的产率得到2-N-tert-butylamino-2-methylpropanal-N-tert-butylimine
  参考文献：
  名称：

  使用氨基/亚胺型配体合成和表征新型低分子量铝有机金属配合物，可能用于原子层沉积过程

  摘要：

  微电子行业发展和创新的驱动力是构成每个技术节点的组件的小型化。这种小型化给传统材料带来了新的挑战，并且需要具有亚纳米精度的新制造方法。 基于此，出现了许多制造此类纳米材料的方法，其中化学沉积工艺脱颖而出。此类化学的一个工业示例是所谓的 ALD（原子层沉积），它使用气态前体生成纳米金属层的沉积。 使用气态金属前体导致该过程将无机/有机金属材料的正确分子设计作为关键因素，因为该方法对这些化合物的化学和物理性质提出了严格的要求，例如热稳定性，波动性、合成比例等。考虑到这一点，在这项研究中，使用 TMA 和具有低分子量取代基（异丙基、叔丁基）的亚氨基/胺类配体合成了新的铝络合物，以在室温下的惰性气氛中生成稳定且易挥发的液体络合物。 最终得到四种液态配合物，在氮气气氛下稳定，收率为70%。由于上述特性，这些配合物可用作沉积 Al 和 Al 2 O 3薄膜的前体。此外，证明了在这类配体中使用TMA可以

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2023.122694

文献信息

• [EN] PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS<br/>[FR] PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE FILMS MINCES INORGANIQUES
  申请人：BASF SE

  公开号：WO2017089230A1

  公开（公告）日：2017-06-01

  The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. The present invention relates to a process comprising bringing a compound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein R1, R2, R3, and R4 are independent of each other an alkyl group, an aryl group or a trialkylsilyl group, M is Mn, Ni or Co, X is a ligand which coordinates M, wherein at least one X is a neutrally charged ligand, m is 1, 2 or 3 and n is at least 1 wherein the molecular weight of the compound of general formula (I) is up to 1000 g/mol.

  本发明涉及在基板上生成薄无机膜的工艺领域，特别是原子层沉积工艺。本发明涉及一种工艺，包括将通式（I）的化合物带入气态或气溶胶状态，并将通式（I）的化合物从气态或气溶胶状态沉积到固体基板上，其中R1、R2、R3和R4彼此独立地为烷基、芳基或三烷基硅基，M为Mn、Ni或Co，X为配位于M的配体，其中至少一个X为中性带电的配体，m为1、2或3，n至少为1，通式（I）的化合物的分子量最多为1000克/摩尔。
• Kinetic and Mechanistic Studies of Geometrical Isomerism in Neutral Square-Planar Methylpalladium Complexes Bearing Unsymmetrical Bidentate Ligands of α-Aminoaldimines
  作者：Feng-Zhao Yang、Yu-Heng Wang、Mu-Chieh Chang、Kuo-Hsuan Yu、Shou-Ling Huang、Yi-Hung Liu、Yu Wang、Shiuh-Tzung Liu、Jwu-Ting Chen

  DOI：10.1021/ic900296y

  日期：2009.8.17

  (7b); R = tBu, (R1, R2) = c-C4H8 (7c); R = tBu, R1 = iPr, R2 = H (7d); R = tBu, R1 = tBu, R2 = H (7e); R = Ph, R1 = R2 = Me (8a); R = Ph, R1 = R2 = Et (8b)) show geometrical isomerism. The relative ratios of trans/cis isomers appear to be predominated by the steric hindrance between the Pd-bound methyl group and imino or amino substituents (R and R1 and R2). The NMR studies for the substitution reaction

  已经制备并表征了一系列α-氨基亚胺的半不稳定配体及其甲基钯配合物。在的形式中性正方形平面methylpalladium络合物[R 1 - [R 2 NCMe 2 CH═NR]将Pd（Me）的氯（R =我，R 1 = R 2 =我（图3a）; R =我，R 1 = R 2 = Et（3b）; R = Et，R 1 = R 2 = Me（4a）; R = n Pr，R 1 = R 2 = Me（5a）; R = i Pr，R 1 = R 2 = Me （6a）; R = i Pr，R 1 = R 2 = Et（6b）；R =我PR，（R 1，R 2）= C ^ -C 4 ħ 8（图6c）; R = i Pr，R 1 = i Pr，R 2 = H（6d）; R = i Pr，R 1 = t Bu，R 2 = H（6e）；R = t Bu，R 1 = R 2 = Me（7a）; R =吨Bu，R 1
• [EN] PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS<br/>[FR] PROCÉDÉ PERMETTANT LA PRODUCTION DE MINCES FILMS INORGANIQUES
  申请人：BASF SE

  公开号：WO2017093283A1

  公开（公告）日：2017-06-08

  The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. The present invention relates to a process comprising bringing a compound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein M is Mn, Ni or Co, X is a ligand which coordinates M, n is 0, 1, or 2, R1, R2 are an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, m is 1, 2, or 3, R3, R4, and R5 are an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aryloxy group, and p is 1, 2 or 3.

  本发明涉及在底物上生成薄无机膜的过程领域，特别是原子层沉积过程。本发明涉及一种过程，包括将一般式(I)的化合物带入气态或气溶胶状态，并将一般式(I)的化合物从气态或气溶胶状态沉积到固体底物上，其中M为Mn、Ni或Co，X是配位M的配体，n为0、1或2，R1、R2为烷基、烯基、芳基或硅基，m为1、2或3，R3、R4和R5为烷基、烯基、芳基、烷氧基或芳氧基，p为1、2或3。
• [EN] PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS<br/>[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILMS MINCES INORGANIQUES
  申请人：BASF SE

  公开号：WO2018041695A1

  公开（公告）日：2018-03-08

  The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. The present invention relates to a process for the generation of inorganic films comprising depositing the compound of general formula (I) onto a solid substrate (I), wherein M is Mn, Ni or Co, X is a ligand which coordinates M, n is 0, 1, 2, 3, or 4, R1 is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a halogen, or a silyl group, R2 is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, p and q are 1 or 2, wherein p + q = 3, and m is 1, 2, or 3.

  本发明涉及用于在基板上生成薄无机膜的工艺领域，特别是原子层沉积过程。本发明涉及一种生成无机膜的工艺，包括将通式(I)化合物沉积在固体基板(I)上，其中M为Mn、Ni或Co，X为配位M的配体，n为0、1、2、3或4，R1为烷基、烯基、芳基、卤素或硅基，R2为烷基、烯基、芳基或硅基，p和q为1或2，其中p+q=3，m为1、2或3。
• Process for the generation of thin inorganic films
  申请人：BASF SE

  公开号：US10669297B2

  公开（公告）日：2020-06-02

  The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. The present invention relates to a process comprising bringing a compound of general formula (I) into the gaseous or aerosol state and depositing the compound of general formula (I) from the gaseous or aerosol state onto a solid substrate, wherein M is Mn, Ni or Co, X is a ligand which coordinates M, n is 0, 1, or 2, R1, R2 are an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group or a silyl group, m is 1, 2, or 3, R3, R4, and R5 are an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkoxy group, or an aryloxy group, and p is 1, 2 or 3.

  本发明属于在基底上生成无机薄膜的工艺领域，特别是原子层沉积工艺。本发明涉及一种工艺，包括将通式(I)化合物带入气态或气溶胶态，并将通式(I)化合物从气态或气溶胶态沉积到固体基底上，其中 M 是 Mn、Ni 或 Co、X是配位 M 的配体，n 是 0、1 或 2，R1、R2 是烷基、烯基、芳基或硅基，m 是 1、2 或 3，R3、R4 和 R5 是烷基、烯基、芳基、烷氧基或芳氧基，p 是 1、2 或 3。