Single source precursors, methods to synthesize single source precursors and methods to deposit nanowire based thin films using single source precursors for high efficiency thermoelectric devices are provided herein. In some embodiments, a method of forming a single source precursor includes mixing a first compound with one of SbX3, SbX5, Sb2(SO4)3 or with one of BiX3, Bi(NO3)3, Bi(OTf)3, Bi(PO4), Bi(OAc)3, wherein the first compound is one of a lithium selenolate, a lithium tellurolate, a monoselenide, or a monotelluride.
本文提供了用于高效热电设备的单源前驱体、合成单源前驱体的方法以及使用单源前驱体沉积基于纳米线的薄膜的方法。在一些实施例中,形成单源前驱体的方法包括将第一种化合物与 SbX3、SbX5、Sb2(SO4)3 或 BiX3、Bi(
NO3)3、Bi(OTf)3、Bi(PO4)、Bi(OAc)3 中的一种混合,其中第一种化合物是
硒酸锂、
碲酸锂、单
硒化物或单
碲化物中的一种。