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bis-5-(3-bromo-4-dodecyl)dithieno[3,2-b;20,30-d]thiophene | 1220276-27-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
bis-5-(3-bromo-4-dodecyl)dithieno[3,2-b;20,30-d]thiophene
英文别名
4,10-Bis(5-bromo-3-dodecylthiophen-2-yl)-3,7,11-trithiatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene;4,10-bis(5-bromo-3-dodecylthiophen-2-yl)-3,7,11-trithiatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene
bis-5-(3-bromo-4-dodecyl)dithieno[3,2-b;20,30-d]thiophene化学式
CAS
1220276-27-6
化学式
C40H54Br2S5
mdl
——
分子量
855.007
InChiKey
JUDWUGPTXOHDDB-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    21
  • 重原子数:
    47
  • 可旋转键数:
    24
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.6
  • 拓扑面积:
    141
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    5

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    bis-5-(4-dodecyl)dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 以90%的产率得到bis-5-(3-bromo-4-dodecyl)dithieno[3,2-b;20,30-d]thiophene
    参考文献:
    名称:
    包含基于双(联硫基苯基二噻吩并噻吩)重复基团的高性能半导体聚合物,用于有机薄膜晶体管
    摘要:
    新型的含有二噻吩并噻吩的共轭聚合物,例如聚(2,6-双(2-噻吩基-3-十二烷基噻吩-2-基)二噻吩并[3,2-b; 2',3'-d]噻吩,4和聚(2,6-双(2-噻吩基-4-十二烷基噻吩-2-基)二噻吩并[3,2-b; 2',3'-d]噻吩,8已通过使用十二烷基取代的噻吩基单体,双三丁基锡二噻吩并噻吩和双三丁基锡联噻吩通过Stille偶联反应成功合成; 这些聚合物已被充分表征。两种聚合物之间的主要区别是重复基团中十二烷基侧链的取代位置。掠入射X射线衍射(GI-XRD)清楚地证明了多晶向基板的边缘定向。已经在有机薄膜晶体管(OTFT)中评估了这两种聚合物的半导体性能。两种共轭聚合物4和8表现出相当高的空穴载流子迁移率,高达μave = 0.05 cm 2 / Vs(I ON / OFF在热退火处理之后,分别为= 3.42×10 4)和μave= 0.01cm 2 / Vs(I ON / OFF=
    DOI:
    10.1002/pola.24415
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文献信息

  • High performance semiconducting polymers containing bis(bithiophenyl dithienothiophene)-based repeating groups for organic thin film transistors
    作者:Kyung Hwan Kim、Dae Sung Chung、Chan Eon Park、Dong Hoon Choi
    DOI:10.1002/pola.24415
    日期:2011.1.1
    dithienothiophene‐containing conjugated polymers, such as poly(2,6‐bis(2‐thiophenyl‐3‐dodecylthiophene‐2‐yl)dithieno[3,2b;2′,3′‐d]thiophene, 4 and poly(2,6‐bis (2‐thiophenyl‐4‐dodecylthiophene‐2‐yl)dithieno[3,2b;2′,3′‐d]thiophene, 8 have been successfully synthesized via Stille coupling reactions using dodecyl‐substituted thiophene‐based monomers, bistributyltin dithienothiophene, and bistributyltin
    新型的含有二噻吩并噻吩的共轭聚合物,例如聚(2,6-双(2-噻吩基-3-十二烷基噻吩-2-基)二噻吩并[3,2-b; 2',3'-d]噻吩,4和聚(2,6-双(2-噻吩基-4-十二烷基噻吩-2-基)二噻吩并[3,2-b; 2',3'-d]噻吩,8已通过使用十二烷基取代的噻吩基单体,双三丁基锡二噻吩并噻吩和双三丁基锡联噻吩通过Stille偶联反应成功合成; 这些聚合物已被充分表征。两种聚合物之间的主要区别是重复基团中十二烷基侧链的取代位置。掠入射X射线衍射(GI-XRD)清楚地证明了多晶向基板的边缘定向。已经在有机薄膜晶体管(OTFT)中评估了这两种聚合物的半导体性能。两种共轭聚合物4和8表现出相当高的空穴载流子迁移率,高达μave = 0.05 cm 2 / Vs(I ON / OFF在热退火处理之后,分别为= 3.42×10 4)和μave= 0.01cm 2 / Vs(I ON / OFF=
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