Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von gegebenenfalls substituierten, in a-Stellung monohalogenierten Acetonitrilen, bei dem ein Überschuß eines gegebenenfalls substituierten Acetonitrils, das in a-Stellung mindestens ein Wasserstoffatom aufweist, mit einem Halogen unter der Einwirkung von UV-Strahlung und gegebenenfalls in Gegenwart eines Halogenids eines Elemente der3. bis6. Gruppe des Periodensystems der Elements kontinuierlich bei höhererTemperaturumgesetztwird,wobei die Halogenierung so weit durchgeführt wird, daß die Konzentration des in a-Stellung monohalogenierten Acetonitrils in dem aus dem Reaktionsraum abgezogenen Reaktionsgemisch nicht mehr als 33 Mol-% der im Reaktionsgemisch enthaltenen Stoffe beträgt.
本发明涉及一种制备在a-位上单卤化的任选取代的
乙腈的工艺,在该工艺中,过量的在a-位上至少有一个氢原子的任选取代的
乙腈在紫外辐射的作用下,并任选在元素周期表第3至第6族元素的卤化物存在下,连续地在高温下与卤素反应,卤化进行到这样一种程度,即在从反应介质中得到的反应介质中a-位上单卤化的
乙腈的浓度降低。卤化过程中,从反应室抽出的反应混合物中 a 位单卤化
乙腈的浓度不超过反应混合物中所含物质的 33 摩尔%。