9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline | 1361334-56-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二氮杂萘
• 英文名称: 9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
• 英文别名: 9,10-Dihexoxyacenaphthyleno[1,2-b]quinoxaline；9,10-dihexoxyacenaphthyleno[1,2-b]quinoxaline
• CAS: 1361334-56-6
• 化学式: C₃₀H₃₄N₂O₂
• 分子量: 454.612
• InChiKey: WVYPMAQAKGNIDM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.5
• 重原子数：
  34
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.4
• 拓扑面积：
  44.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 以84.1%的产率得到8,11-dibromo-9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
  参考文献：
  名称：

  Acenaphtho[1,2-b]quinoxaline based low band gap copolymers for organic thin film transistor applications

  摘要：

  我们报道了一种新型低带隙共聚物的合成，该聚合物基于苊并[1,2-b]喹喔啉核心和寡噻吩衍生物，分别作为受体和供体部分。共聚物的光学性质通过紫外-可见光谱法表征，而电化学性质则通过循环伏安法测定。根据光学吸收带边缘计算，这些聚合物的带隙在1.8-2.0 eV范围内。X射线衍射测量显示聚合物链之间存在弱的π-π堆积相互作用。共聚物的空穴迁移率通过场效应晶体管测量评估，结果在10-5-10-3 cm2/Vs范围内。

  DOI：

  10.1039/c1jm13540f
• 作为产物：
  描述：

  苊醌 、 1,2-bis(hexyloxy)-4,5-diaminobenzene 在 溶剂黄146 作用下， 反应 6.0h， 以92.3%的产率得到9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
  参考文献：
  名称：

  Acenaphtho[1,2-b]quinoxaline based low band gap copolymers for organic thin film transistor applications

  摘要：

  我们报道了一种新型低带隙共聚物的合成，该聚合物基于苊并[1,2-b]喹喔啉核心和寡噻吩衍生物，分别作为受体和供体部分。共聚物的光学性质通过紫外-可见光谱法表征，而电化学性质则通过循环伏安法测定。根据光学吸收带边缘计算，这些聚合物的带隙在1.8-2.0 eV范围内。X射线衍射测量显示聚合物链之间存在弱的π-π堆积相互作用。共聚物的空穴迁移率通过场效应晶体管测量评估，结果在10-5-10-3 cm2/Vs范围内。

  DOI：

  10.1039/c1jm13540f

文献信息

• Acenaphtho[1,2-b]quinoxaline based low band gap copolymers for organic thin film transistor applications
  作者：Raja Bhaskar Kanth Siram、Jeremy Smith、Thomas D. Anthopoulos、Satish Patil

  DOI：10.1039/c1jm13540f

  日期：——

  We report the synthesis of a novel class of low band gap copolymers based on an acenaphtho[1,2-b]quinoxaline core and oligothiophene derivatives acting as the acceptor and the donor moieties, respectively. The optical properties of the copolymers were characterized by ultraviolet-visible spectroscopy while the electrochemical properties were determined by cyclic voltammetry. The band gap of these polymers was found to be in the range 1.8–2.0 eV as calculated from the optical absorption band edge. X-ray diffraction measurements show weak π–π stacking interactions between the polymer chains. The hole mobility of the copolymers was evaluated using field-effect transistor measurements yielding values in the range 10−5–10−3 cm2/Vs.

  我们报道了一种新型低带隙共聚物的合成，该聚合物基于苊并[1,2-b]喹喔啉核心和寡噻吩衍生物，分别作为受体和供体部分。共聚物的光学性质通过紫外-可见光谱法表征，而电化学性质则通过循环伏安法测定。根据光学吸收带边缘计算，这些聚合物的带隙在1.8-2.0 eV范围内。X射线衍射测量显示聚合物链之间存在弱的π-π堆积相互作用。共聚物的空穴迁移率通过场效应晶体管测量评估，结果在10-5-10-3 cm2/Vs范围内。