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9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline | 1361334-56-6

中文名称
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中文别名
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英文名称
9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
英文别名
9,10-Dihexoxyacenaphthyleno[1,2-b]quinoxaline;9,10-dihexoxyacenaphthyleno[1,2-b]quinoxaline
9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline化学式
CAS
1361334-56-6
化学式
C30H34N2O2
mdl
——
分子量
454.612
InChiKey
WVYPMAQAKGNIDM-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.5
  • 重原子数:
    34
  • 可旋转键数:
    12
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.4
  • 拓扑面积:
    44.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxalineN-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 以84.1%的产率得到8,11-dibromo-9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
    参考文献:
    名称:
    Acenaphtho[1,2-b]quinoxaline based low band gap copolymers for organic thin film transistor applications
    摘要:
    我们报道了一种新型低带隙共聚物的合成,该聚合物基于苊并[1,2-b]喹喔啉核心和寡噻吩衍生物,分别作为受体和供体部分。共聚物的光学性质通过紫外-可见光谱法表征,而电化学性质则通过循环伏安法测定。根据光学吸收带边缘计算,这些聚合物的带隙在1.8-2.0 eV范围内。X射线衍射测量显示聚合物链之间存在弱的π-π堆积相互作用。共聚物的空穴迁移率通过场效应晶体管测量评估,结果在10-5-10-3 cm2/Vs范围内。
    DOI:
    10.1039/c1jm13540f
  • 作为产物:
    描述:
    苊醌1,2-bis(hexyloxy)-4,5-diaminobenzene溶剂黄146 作用下, 反应 6.0h, 以92.3%的产率得到9,10-bis(hexyloxy)acenaphtho[1,2-b]quinoxaline
    参考文献:
    名称:
    Acenaphtho[1,2-b]quinoxaline based low band gap copolymers for organic thin film transistor applications
    摘要:
    我们报道了一种新型低带隙共聚物的合成,该聚合物基于苊并[1,2-b]喹喔啉核心和寡噻吩衍生物,分别作为受体和供体部分。共聚物的光学性质通过紫外-可见光谱法表征,而电化学性质则通过循环伏安法测定。根据光学吸收带边缘计算,这些聚合物的带隙在1.8-2.0 eV范围内。X射线衍射测量显示聚合物链之间存在弱的π-π堆积相互作用。共聚物的空穴迁移率通过场效应晶体管测量评估,结果在10-5-10-3 cm2/Vs范围内。
    DOI:
    10.1039/c1jm13540f
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