将顺磁
金属中心引入共轭 π 系统是工程自旋电子材料的一种有前途的方法。在这里,我们报告了对两种类型的自旋
镝(III)和
钆(III)
卟啉二聚体的研究:具有扭曲构象的单内消旋-内消旋连接二聚体和平面边缘融合的β,内消旋,β-连接带。稀土自旋中心位于
卟啉平面之外,因此单联二聚体是手性的,并且它们的对映体可以被解析,而边缘融合的带状复合物可以分为顺式和反式立体异构体。我们比较了这些配合物的晶体结构、紫外-可见-近红外吸收光谱、电
化学、EPR 光谱和磁性行为。低温 SQUID 磁力测量揭示了边缘融合二聚体中 Gd III中心之间的分子内反
铁磁交换耦合(顺式异构体: J = -51 ± 2
MHz;反式异构体: J = -19 ± 3
MHz),而没有交换耦合在单链扭曲复合物中检测到。 3 K 时的相位记忆时间T m范围为 8–10 μs,这足以测试使用微波脉冲的量子计算方案。顺式和反式Dy 2边缘熔合带均在低于