triphenylsulfonium 3-methoxy-4-(4'-methylphenylsulfonyl-oxy)benzenesulfonate | 418767-60-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: triphenylsulfonium 3-methoxy-4-(4'-methylphenylsulfonyl-oxy)benzenesulfonate
• 英文别名: Triphenylsulfonium 3-methoxy-4-(4'-methylphenyl-sulfonyloxy)benzenesulfonate；3-methoxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxybenzenesulfonate;triphenylsulfanium
• CAS: 418767-60-9
• 化学式: C₁₄H₁₃O₇S₂*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 620.768
• InChiKey: HVCZAYYXRMJHMV-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.46
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.06
• 拓扑面积：
  128
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  sodium 3-methoxy-4-(4'-methylphenylsulfonyl-oxy)benzenesulfonate 、 氯化三苯基硫 在 crude product 、 水 、 silica gel 、 methanol-dichloromethane 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 1.0h， 以obtaining the end product, triphenylsulfonium 3-methoxy-4-(4′-methylphenyl-sulfonyloxy)benzenesulfonate as an oily matter in an amount of 69 g (yield 56%)的产率得到triphenylsulfonium 3-methoxy-4-(4'-methylphenylsulfonyl-oxy)benzenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Novel onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process

  摘要：

  苯磺酸氧基苯磺酸盐的离子与碘离子或硫离子的醇盐的离子的醇盐是新颖的。 包含该离子的醇盐的化学增感抗蚀剂组合物适用于微细加工，特别是深紫外光刻，因为具有许多优点，包括改善分辨率，改善焦距，即使在长期PED上也能最小化线宽变化或形状退化，涂层，开发和剥离后最小化碎片，并在开发后改善图案轮廓。

  公开号：

  US20020077493A1

文献信息

• Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.

  公开号：US06551758B2

  公开（公告）日：2003-04-22

  Onium salts of arylsulfonyloxybenzenesulfonate anions with iodonium or sulfonium cations are novel. A chemically amplified resist composition comprising the onium salt as a photoacid generator is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution, improved focal latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development.

  芳基磺酸氧苯磺酸酯阴离子的离子盐与碘化离子或硫化离子的磺鎓离子是新颖的。由该离子盐作为光酸发生剂的化学增感光阻剂组合物适用于微细加工，特别是深紫外光刻，因为具有许多优点，包括提高分辨率，提高焦距宽度，即使在长期PED上也最小化线宽变化或形状退化，涂层、开发和剥离后最小化杂质，以及开发后改善图案轮廓。
• US6551758B2
  申请人：——

  公开号：US6551758B2

  公开（公告）日：2003-04-22