2-(4-tert-butylphenylthio)benzoic acid | 5495-80-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机硫化合物 - 硫醚类
• 英文名称: 2-(4-tert-butylphenylthio)benzoic acid
• 英文别名: 2-(4-Tert-butylphenyl)sulfanylbenzoic acid
• CAS: 5495-80-7
• 化学式: C₁₇H₁₈O₂S
• 分子量: 286.395
• InChiKey: CALSARRKVXZMCZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  193-194 °C
• 沸点：
  424.2±38.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.19±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.2
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.24
• 拓扑面积：
  62.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(4-tert-butylphenylthio)benzoic acid 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 2-<4-tert.-Butylphenylthio>-benzylalkohol
  参考文献：
  名称：

  Pelz,K. et al., Collection of Czechoslovak Chemical Communications, 1968, vol. 33, # 6, p. 1895 - 1910

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  对叔丁基苯磺酰氯 在 氢氧化钾 、 lithium aluminium tetrahydride 、 铜 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 2-(4-tert-butylphenylthio)benzoic acid
  参考文献：
  名称：

  Pelz,K. et al., Collection of Czechoslovak Chemical Communications, 1968, vol. 33, # 6, p. 1895 - 1910

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Negative resist composition and resist pattern forming process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US10120279B2

  公开（公告）日：2018-11-06

  A negative resist composition comprising (A) a sulfonium compound of betaine type and (B) a polymer is provided. The resist composition is effective for controlling acid diffusion during the exposure step, exhibits a very high resolution during pattern formation, and forms a pattern with minimal LER.

  提供一种负性抗蚀组合物，包括（A）一种甜菜碱型的砜化合物和（B）一种聚合物。该抗蚀组合物在曝光步骤期间有效控制酸扩散，在图案形成期间具有非常高的分辨率，并形成具有最小LER的图案。
• Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US10416558B2

  公开（公告）日：2019-09-17

  A positive resist composition comprising a polymer adapted to be decomposed under the action of acid to increase its solubility in alkaline developer and a sulfonium compound of specific structure has a high resolution. When the resist composition is processed by lithography, a pattern with minimal LER can be formed.

  一种正性抗蚀组合物包括一种聚合物，适应在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性，以及一种具有特定结构的砜化合物，具有高分辨率。当这种抗蚀组合物经过光刻处理时，可以形成具有最小LER的图案。
• 新規スルホニウム化合物及びその製造方法、レジスト組成物、並びにパターン形成方法
  申请人：信越化学工業株式会社

  公开号：JP2017202993A

  公开（公告）日：2017-11-16

  【課題】遠紫外線リソグラフィー及びＥＵＶリソグラフィーにおいて、解像性、ＬＷＲ、ＭＥＦ及びＣＤＵに優れたレジスト膜を与えるレジスト組成物、これに用いるスルホニウム化合物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるスルホニウム化合物。（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を表す。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。ｒは、０〜４の整数を表す。）【選択図】なし

  在远紫外光刻和极紫外光刻中，提供一种能够提供出色分辨率、LWR、MEF和CDU的光刻胶组合物的光刻胶组合物，以及用于此目的的磺酸盐化合物，并提供使用该光刻胶组合物进行图案形成的方法。解决方案是下式（1）所示的磺酸盐化合物。（式中，R1、R2和R3分别独立地表示含有杂原子的直链、支链或环状的1至20个碳原子的单价碳氢基。p和q分别独立地表示0至5的整数。r表示0至4的整数。）【选择图】无
• Sulfonium compound, making method, resist composition, and pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US10248022B2

  公开（公告）日：2019-04-02

  A sulfonium compound having formula (1) exerts a satisfactory acid diffusion control function wherein R1, R2 and R3 are a C1-C20 monovalent hydrocarbon group which may contain a heteroatom, p=0-5, q=0-5, and r=0-4. A resist composition comprising the sulfonium compound is processed by lithography to form a resist pattern with improved resolution, LWR, MEF and CDU.

  具有式（1）的锍化合物具有令人满意的酸扩散控制功能，其中 R1、R2 和 R3 为 C1-C20 单价烃基，可含有杂原子，p=0-5，q=0-5，r=0-4。包含锍化合物的抗蚀剂组合物经光刻处理后，可形成分辨率、LWR、MEF 和 CDU 均有所提高的抗蚀图案。
• The Metalation of 4-t-Butyldiphenyl Sulfone with n-Butyllithium¹
  作者：David A. Shirley、Erwin A. Lehto

  DOI：10.1021/ja01570a047

  日期：1957.7