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2,5-双(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩 | 1032130-89-4

中文名称
2,5-双(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩
中文别名
——
英文名称
2,5-bis(4-(trifluoromethyl)phenyl)thieno[3,2-b]thiophene
英文别名
2,5-Bis[4-(trifluoromethyl)phenyl]thieno[3,2-b]thiophene
2,5-双(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩化学式
CAS
1032130-89-4
化学式
C20H10F6S2
mdl
——
分子量
428.422
InChiKey
XBOOTERGHLAGLG-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    467.8±40.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.427±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.8
  • 重原子数:
    28
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    56.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2,5-bis(tributylstannyl)thieno[3,2-b]thiophene对溴三氟甲苯四(三苯基膦)钯 作用下, 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 24.0h, 以20%的产率得到2,5-双(4-(三氟甲基)苯基)噻吩并[3,2-b]噻吩
    参考文献:
    名称:
    通过富电子和缺乏电子的杂芳族化合物之间的相互作用进行π-π堆积的晶体工程
    摘要:
    已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。
    DOI:
    10.1021/jo800546j
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文献信息

  • Organic electroluminescent transistor
    申请人:Flexterra, Inc.
    公开号:US10964919B2
    公开(公告)日:2021-03-30
    The present teachings relate to an organic electroluminescent transistor with improved light-emission characteristics. More specifically, the present organic electroluminescent transistor has an emissive ambipolar channel including at least one layer of an n-type semiconductor material, at least one layer of a p-type semiconductor material, and at least one layer of an emissive material arranged between the layers of the p-type and n-type semiconductor materials, where the multilayer emissive ambipolar channel includes, among various layers, a layer of a p-type semiconductor material comprising a benzothieno-benzothiophene compound, and/or a layer of an emissive material comprising a blend material that includes an organic carbazole derivative as the host matrix compound and an iridium complex as the guest emitter.
    本发明涉及一种具有改进发光特性的有机电致发光晶体管。更具体地说,本发明的有机电致发光晶体管具有一个发射性伏极通道,包括至少一层 n 型半导体材料、至少一层 p 型半导体材料以及至少一层排列在 p 型和 n 型半导体材料层之间的发射性材料、其中,多层发射型伏极通道在各层中包括一层由苯并噻吩化合物组成的p型半导体材料层,和/或一层由混合材料组成的发射材料层,混合材料包括作为主基体化合物的有机咔唑生物和作为客发射体的络合物。
  • ORGANIC ELECTROLUMINESCENT TRANSISTOR
    申请人:E.T.C. S.r.l.
    公开号:EP3172778A1
    公开(公告)日:2017-05-31
  • Organic Electroluminescent Transistor
    申请人:E.T.C. S.R.L.
    公开号:US20170237042A1
    公开(公告)日:2017-08-17
    The present teachings relate to an organic electroluminescent transistor with improved light-emission characteristics. More specifically, the present organic electroluminescent transistor has an emissive ambipolar channel including at least one layer of an n-type semiconductor material, at least one layer of a p-type semiconductor material, and at least one layer of an emissive material arranged between the layers of the p-type and n-type semiconductor materials, where the multilayer emissive ambipolar channel includes, among various layers, a layer of a p-type semiconductor material comprising a benzothieno-benzothiophene compound, and/or a layer of an emissive material comprising a blend material that includes an organic carbazole derivative as the host matrix compound and an iridium complex as the guest emitter.
  • [EN] ORGANIC ELECTROLUMINESCENT TRANSISTOR<br/>[FR] TRANSISTOR ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
    申请人:E T C SRL
    公开号:WO2016014980A1
    公开(公告)日:2016-01-28
    The present teachings relate to an organic electroluminescent transistor with improved light-emission characteristics. More specifically, the present organic electroluminescent transistor has an emissive ambipolar channel including at least one layer of an n-type semiconductor material, at least one layer of a p-type semiconductor material, and at least one layer of an emissive material arranged between the layers of the p-type and n-type semiconductor materials, where the multilayer emissive ambipolar channel includes, among various layers, a layer of a p-type semiconductor material comprising a benzothieno-benzothiophene compound, and/or a layer of an emissive material comprising a blend material that includes an organic carbazole derivative as the host matrix compound and an iridium complex as the guest emitter.
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