合成了五环苯并二吡咯并噻吩(BDPT)单元,其中两个外噻吩环通过氮桥与中心亚苯基环共价固定。嵌入BDPT的两个吡咯单元是使用一锅钯催化胺化法构建的。共面锡烷基化的Sn-BDPT构建基块与电子不足的噻吩并[3,4- c ]吡咯-4,6-二酮(TPD),苯并噻二唑(BT)和二噻吩基-二酮基吡咯并吡咯(DPP)受体共聚。桥接的氮原子使BDPT高电子丰度且结构共面的母题,可以调整所得聚合物的光学和电子性质。BDPT型聚合物的特征是在固体中具有明显的能带展宽和较强的氧化势的强光诱导电荷转移。聚(benzodipyrrolothiophe Ñ E- ALT -benzothiadiazole)(PBDPTBT)实现了最高场效应空穴迁移率至0.02厘米2 V -1 小号-1。使用PBDPTBT / PC 71 BM共混物(1:3,w / w)的光伏器件的V oc为0.6 V,J sc10.34mA cm