4-Hydroxy-3,5-di(propan-2-yl)benzenesulfonic acid | 57354-53-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-Hydroxy-3,5-di(propan-2-yl)benzenesulfonic acid
• CAS: 57354-53-7
• 化学式: C₁₂H₁₈O₄S
• 分子量: 258.339
• InChiKey: IFVGXAJFKKSWKW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.6
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  83
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  丙泊酚 以99%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  CERFONTAIN, H.;KOEBERG-TELDER, A.;LAMBRECHTS, H. J. A.;DE, WIT, P., J. ORG. CHEM., 1984, 49, N 25, 4917-4923

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Chemically Amplified Positive Resist Composition and Resist Pattern Forming Process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180180992A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  A positive resist composition comprising a polymer adapted to be decomposed under the action of acid to increase its solubility in alkaline developer and a sulfonium compound of formula (A) has a high resolution. When the resist composition is processed by lithography, a pattern with minimal LER can be formed.

  一种正性光刻胶组合物，包括一种聚合物，该聚合物适于在酸的作用下分解，以增加其在碱性显影剂中的溶解度，以及一种化学式（A）的磺化物化合物，具有高分辨率。当使用光刻技术处理光刻胶组合物时，可以形成最小LER的图案。
• CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180180998A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  A negative resist composition comprising a sulfonium compound having formula (A) and a base polymer is provided. The resist composition exhibits a high resolution during pattern formation and forms a pattern with minimal LER.

  提供一种负型光刻胶组合物，包括具有公式(A)的磺化物化合物和基础聚合物。该光刻胶组合物在图案形成期间表现出高分辨率，并形成具有最小LER的图案。
• SULFONIUM COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200071268A1

  公开（公告）日：2020-03-05

  A novel sulfonium compound has formula (A). A positive resist composition comprising a polymer and a quencher containing the sulfonium compound is improved in resolution and LER during pattern formation and has storage stability. In formula (A), R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are independently a C 1 -C 20 monovalent hydrocarbon group, p is an integer of 0-5, q is an integer of 0-5, and r is an integer of 0-4.

  一种新的磺鎵化合物具有公式（A）。包含聚合物和含有磺鎵化合物的熄灭剂的正性光刻胶组合物在图案形成期间具有更好的分辨率和LER，并具有储存稳定性。在公式（A）中，R1、R2、R3和R4分别是C1-C20单价烃基，p是0-5的整数，q是0-5的整数，r是0-4的整数。
• POLYMER COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION, LAMINATE, AND RESIST PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3127928A1

  公开（公告）日：2017-02-08

  The present invention provides a polymer compound containing a repeating unit shown by the formula (1c) and one or more repeating units selected from a repeating unit shown by the formula (2) and a repeating unit shown by the formula (3), wherein Mb+ represents a sulfonium cation shown by the formula (a) or an iodonium cation shown by the formula (b), This polymer compound is suitable as a base resin of a resist composition capable of forming a resist film that allows pattern formation with extremely high resolution, small LER, and excellent rectangularity.

  本发明提供了一种聚合物化合物，它含有式（1c）所示的重复单元和一个或多个重复单元，这些重复单元选自式（2）所示的重复单元和式（3）所示的重复单元、 其中 Mb+ 代表式（a）所示的锍阳离子或式（b）所示的碘阳离子、 这种聚合物化合物适合用作抗蚀剂组合物的基体树脂，这种抗蚀剂组合物能够形成具有极高分辨率、极小 LER 和极佳矩形度的抗蚀剂薄膜。
• POLYMER COMPOUND, NEGATIVE RESIST COMPOSITION, LAMINATE, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3203319A1

  公开（公告）日：2017-08-09

  The present invention provides a polymer compound containing a repeating unit shown by the following general formula (1). There can be provided a polymer compound usable in a negative resist composition that can achieve high resolution of 50 nm or less and small LER and cause very few defects, a negative resist composition using the polymer compound, and a patterning process using the negative resist composition.

  本发明提供了一种含有以下通式（1）所示重复单元的聚合物化合物。本发明提供了一种可用于负型抗蚀剂组合物的聚合物化合物，该化合物可实现 50 nm 或更低的高分辨率和较小的 LER，并可造成极少的缺陷；还提供了一种使用该聚合物化合物的负型抗蚀剂组合物，以及一种使用该负型抗蚀剂组合物的图案化工艺。