3'-[2-(tetrahydropyranyloxy)ethyl]-2,2':5',2''-terthiophene | 376649-95-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 3'-[2-(tetrahydropyranyloxy)ethyl]-2,2':5',2''-terthiophene
• 英文别名: 2-[2-(2,5-Dithiophen-2-ylthiophen-3-yl)ethoxy]oxane
• CAS: 376649-95-5
• 化学式: C₁₉H₂₀O₂S₃
• 分子量: 376.565
• InChiKey: JCTCSTBMCISKEV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.3
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.37
• 拓扑面积：
  103
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3'-[2-(tetrahydropyranyloxy)ethyl]-2,2':5',2''-terthiophene 在 吡啶 、 盐酸 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 toluene-p-sulfonic acid 2-(2,2':5',2''-terthiophen-3'-yl)ethyl ester
  参考文献：
  名称：

  Syntheses and electro(co)polymerization of novel thiophene- and 2,2′:5′,2″-terthiophene-functionalized metal–tetraazamacrocycle complexes, and electrochemical and spectroelectrochemical characterization of the resulting polythiophenes

  摘要：

  我们已经制备了新型的四氮环十四烷衍生物，在氮原子上用悬挂的噻吩或寡噻吩基团进行功能化，以便进行电聚合。已经制备了这些配体的方形平面镍(II)络合物 [Ni(L)](ClO4)2，并对其电聚合进行了研究。含有三噻吩的络合物在 CH3CN–0.2 M Et4NBF4 中被电氧化，生成可溶的寡聚物，这些聚物可能是二聚化的产物（六噻吩）。然而，通过采用更正的电位极限，它们被电聚合，形成了在掺铟锡氧化物（ITO）涂层玻璃或铂电极上的聚噻吩薄膜，并且镍(II)/镍(III)波与聚噻吩的氧还原过程重叠。通过在非极性介质中氧化中性 [NiCl2(L)] 络合物来分离二聚的三噻吩薄膜的尝试未能成功。即使在噻吩和大分子金属中心之间加入了五个碳原子的“间隔”基团，仍无法单独从含噻吩的络合物生成聚合物薄膜。然而，与 3-甲基噻吩的共聚合成功生成了含有镍(II)络合物的聚噻吩共聚物。原位 FTIR 反射光谱电化学显示，在薄膜氧化的早期阶段，该薄膜表现得像传统的聚噻吩，但在更高的电位下，归因于从价带到第一个禁带态的跃迁的电子带经历了一些非常不寻常的变化。对此可能的解释被提出。

  DOI：

  10.1039/b103284b
• 作为产物：
  描述：

  2,5-dibromo-3-(2-hydroxyethyl)thiophene 在 1,3-bis[(diphenylphosphino)propane]dichloronickel(II) 、 4-甲基苯磺酸吡啶 作用下， 以 乙醚 、 二氯甲烷 为溶剂， 反应 60.0h， 生成 3'-[2-(tetrahydropyranyloxy)ethyl]-2,2':5',2''-terthiophene
  参考文献：
  名称：

  Syntheses and electro(co)polymerization of novel thiophene- and 2,2′:5′,2″-terthiophene-functionalized metal–tetraazamacrocycle complexes, and electrochemical and spectroelectrochemical characterization of the resulting polythiophenes

  摘要：

  我们已经制备了新型的四氮环十四烷衍生物，在氮原子上用悬挂的噻吩或寡噻吩基团进行功能化，以便进行电聚合。已经制备了这些配体的方形平面镍(II)络合物 [Ni(L)](ClO4)2，并对其电聚合进行了研究。含有三噻吩的络合物在 CH3CN–0.2 M Et4NBF4 中被电氧化，生成可溶的寡聚物，这些聚物可能是二聚化的产物（六噻吩）。然而，通过采用更正的电位极限，它们被电聚合，形成了在掺铟锡氧化物（ITO）涂层玻璃或铂电极上的聚噻吩薄膜，并且镍(II)/镍(III)波与聚噻吩的氧还原过程重叠。通过在非极性介质中氧化中性 [NiCl2(L)] 络合物来分离二聚的三噻吩薄膜的尝试未能成功。即使在噻吩和大分子金属中心之间加入了五个碳原子的“间隔”基团，仍无法单独从含噻吩的络合物生成聚合物薄膜。然而，与 3-甲基噻吩的共聚合成功生成了含有镍(II)络合物的聚噻吩共聚物。原位 FTIR 反射光谱电化学显示，在薄膜氧化的早期阶段，该薄膜表现得像传统的聚噻吩，但在更高的电位下，归因于从价带到第一个禁带态的跃迁的电子带经历了一些非常不寻常的变化。对此可能的解释被提出。

  DOI：

  10.1039/b103284b