申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(519980708960)
公开号:KR101498326B1
公开(公告)日:2015-03-03
본 발명은 하기 화학식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 술포늄염을 제공한다. 상기 식 중, R은 헤테로원자를 포함해도 좋은 탄소수 7∼30의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 1가의 탄화수소기를 나타내고, n'는 1∼4의 정수를 나타낸다. 본 발명의 술포늄염은, 통상의 술포늄염과 상이하고 친수성이 높은 페놀성 수산기나 에틸렌글리콜쇄를 갖고 있고, 특정 음이온과 조합한 본 발명의 술포늄염을 레지스트 재료에 이용한 경우에는 액침수로의 용출도 적고, 또 패턴 의존성(다크 브라이트차)이 적어 화학 증폭형 레지스트 재료의 광산 발생제로서 매우 유용하다.
本发明提供了用以下化学式(1a)或(1b)表示的锡盐。在上述式中,R表示直链、支链或环状的1个碳氢基,其包括杂原子,碳数为7〜30,n'表示1〜4的整数。本发明的锡盐具有与通常的锡盐不同的高亲水性酚性羟基或乙二醇醚,并且当将本发明的锡盐与特定阴离子组合并用于光刻胶材料时,其溶出度低,并且具有较小的模式依赖性(暗亮度),因此作为化学放大型光刻胶材料的光敏剂非常有用。