我们合成了一系列偶极
方酸菁
染料,这些
染料含有双
氰基
乙烯基作为受体,并以不同长度的烷基链作为供体部分的苯并环化五元环杂环。基于这些
方酸,通过旋涂和溶液剪切制造薄膜晶体管(TFT)。此外,还使用这些
方酸衍
生物之一制备了真空沉积的 TFT。我们的详细研究表明,目前系列
方酸的晶体管性能在很大程度上取决于它们的结构特征以及薄膜的加工方法。因此,带有
十二烷基取代基的
硒方酸的溶液剪切 OTFT(表示为 Se-SQ-C12)表现最佳,最大空穴迁移率为 0.45 cm(2) V(-1) s(-1),这是迄今为止迄今为止报告的基于
方酸的 OTFT 的最高值。该值甚至被真空沉积的正丁基取代的
硒方酸硒 Se-SQ-C4 薄膜所超越,这是该系列中唯一的可升华化合物,其空穴迁移率为 1.3 cm(2) V(-1) s (-1)。此外,我们通过光谱学、原子力显微镜和 X 射线衍射研究了薄膜的形态和这些
方酸染料的分子堆积