4-methyl-5-(4-(naphthalen-1-yl(phenyl)amino)phenyl)thiophene-2-carbaldehyde | 1254961-58-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 4-methyl-5-(4-(naphthalen-1-yl(phenyl)amino)phenyl)thiophene-2-carbaldehyde
• 英文别名: 4-methyl-5-[4-(N-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]thiophene-2-carbaldehyde
• CAS: 1254961-58-4
• 化学式: C₂₈H₂₁NOS
• 分子量: 419.547
• InChiKey: PWFQQGOVRHMAOK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.9
• 重原子数：
  31
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.04
• 拓扑面积：
  48.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-methyl-5-(4-(naphthalen-1-yl(phenyl)amino)phenyl)thiophene-2-carbaldehyde 、 丙二腈 以 乙醇 为溶剂， 反应 18.0h， 以74%的产率得到2-((4-methyl-5-(4-(naphthalen-1-yl(phenyl)amino)phenyl)thiophen-2-yl)methylene)malononitrile
  参考文献：
  名称：

  Nonvolatile memory organic field effect transistor induced by the steric hindrance effects of organic molecules

  摘要：

  我们报告了一种非易失性记忆有机场效应晶体管（OFET），使用双极有机分子作为纳米接口半导体材料。提出了一种新合成的推拉型有机分子（PPOMs），其包含三芳胺作为电子供体，噻吩作为间隔层，和马隆腈作为电子吸引基团。倾斜的PPOMs带侧链，可以控制在戊烯与PPOMs之间形成的导电通道的电荷捕获。我们进行了量子化学计算，以估算中性和带负电荷的阴离子分子的二面角，并解释记忆OFET性能（写入-读取-擦除-读取周期）的充电效应。包含纳米接口PPOMs的OFET的电荷迁移率受限于来自于间隔层庞大侧链的立体阻碍所产生的二面角影响。使用更高二面角的材料的记忆OTFT展现出更宽的记忆窗口以及降低的电流流动。记忆OFET设备显示记忆窗口为−40到+40 V，"开启"到"关闭"电流的记忆比为100，并且具有较长的非易失性记忆保持时间。

  DOI：

  10.1039/c0jm00854k
• 作为产物：
  描述：

  N-苯基-1-萘胺 在 四(三苯基膦)钯 、 18-冠醚-6 、 铜 、 potassium carbonate 、 三氟乙酸 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 、 邻二氯苯 、 甲苯 为溶剂， 反应 39.0h， 生成 4-methyl-5-(4-(naphthalen-1-yl(phenyl)amino)phenyl)thiophene-2-carbaldehyde
  参考文献：
  名称：

  Nonvolatile memory organic field effect transistor induced by the steric hindrance effects of organic molecules

  摘要：

  我们报告了一种非易失性记忆有机场效应晶体管（OFET），使用双极有机分子作为纳米接口半导体材料。提出了一种新合成的推拉型有机分子（PPOMs），其包含三芳胺作为电子供体，噻吩作为间隔层，和马隆腈作为电子吸引基团。倾斜的PPOMs带侧链，可以控制在戊烯与PPOMs之间形成的导电通道的电荷捕获。我们进行了量子化学计算，以估算中性和带负电荷的阴离子分子的二面角，并解释记忆OFET性能（写入-读取-擦除-读取周期）的充电效应。包含纳米接口PPOMs的OFET的电荷迁移率受限于来自于间隔层庞大侧链的立体阻碍所产生的二面角影响。使用更高二面角的材料的记忆OTFT展现出更宽的记忆窗口以及降低的电流流动。记忆OFET设备显示记忆窗口为−40到+40 V，"开启"到"关闭"电流的记忆比为100，并且具有较长的非易失性记忆保持时间。

  DOI：

  10.1039/c0jm00854k