27,28,59,60,68,69,73,74-Octakis-decyl-3,20,35,52,65,66,67,70,71,72-decathiapentadecacyclo[60.2.1.12,5.118,21.122,25.126,29.130,33.134,37.150,53.154,57.158,61.04,9.014,19.036,41.046,51]tetraheptaconta-1(64),2(74),4(9),5,7,14(19),15,17,21(73),22,24,26,28,30,32,34(69),36(41),37,39,46(51),47,49,53(68),54,56,58,60,62-octacosaen-10,12,42,44-tetrayne | 1201917-07-8

分子结构分类

有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩

中文名称

——

中文别名

——

英文名称

27,28,59,60,68,69,73,74-Octakis-decyl-3,20,35,52,65,66,67,70,71,72-decathiapentadecacyclo[60.2.1.12,5.118,21.122,25.126,29.130,33.134,37.150,53.154,57.158,61.04,9.014,19.036,41.046,51]tetraheptaconta-1(64),2(74),4(9),5,7,14(19),15,17,21(73),22,24,26,28,30,32,34(69),36(41),37,39,46(51),47,49,53(68),54,56,58,60,62-octacosaen-10,12,42,44-tetrayne

英文别名

——

27,28,59,60,68,69,73,74-Octakis-decyl-3,20,35,52,65,66,67,70,71,72-decathiapentadecacyclo[60.2.1.12,5.118,21.122,25.126,29.130,33.134,37.150,53.154,57.158,61.04,9.014,19.036,41.046,51]tetraheptaconta-1(64),2(74),4(9),5,7,14(19),15,17,21(73),22,24,26,28,30,32,34(69),36(41),37,39,46(51),47,49,53(68),54,56,58,60,62-octacosaen-10,12,42,44-tetrayne化学式

CAS

1201917-07-8

化学式

C₁₄₄H₁₈₈S₁₀

mdl

——

分子量

2239.74

InChiKey

VKEQEPOSNSJHHB-UHFFFAOYSA-N

BEILSTEIN

——

EINECS

——

计算性质

辛醇/水分配系数(LogP)：

61.6
重原子数：

154
可旋转键数：

72
环数：

15.0
sp3杂化的碳原子比例：

0.56
拓扑面积：

282
氢给体数：

0
氢受体数：

10

反应信息

作为产物：

描述：

在四甲基乙二胺、 copper diacetate 作用下，以四氢呋喃为溶剂，反应 72.0h，以62 mg的产率得到27,28,59,60,68,69,73,74-Octakis-decyl-3,20,35,52,65,66,67,70,71,72-decathiapentadecacyclo[60.2.1.12,5.118,21.122,25.126,29.130,33.134,37.150,53.154,57.158,61.04,9.014,19.036,41.046,51]tetraheptaconta-1(64),2(74),4(9),5,7,14(19),15,17,21(73),22,24,26,28,30,32,34(69),36(41),37,39,46(51),47,49,53(68),54,56,58,60,62-octacosaen-10,12,42,44-tetrayne

参考文献：

名称：

Synthesis, properties, and FET performance of rectangular oligothiophene

摘要：

通过 Eglinton-Galbraith 偶联反应，成功合成了在角位置含有苯并噻吩单元的新型矩形低聚噻吩。这种低聚物可溶解于常见的有机溶剂中，因此成为可溶液加工的半导体材料的候选材料。我们将环状低聚物的电子吸收和电化学特性与相应的线性成分进行了比较。此外，还比较了其氧化物的特性。利用其旋涂膜制造的有机场效应晶体管显示出典型的 p 型特性，并实现了高达 7.3 × 10-3 cm2V-1 s-1 的良好空穴迁移率，导通/关断电流比为 2.0 × 108，阈值电压为 -7 V。

DOI：

10.1039/b912744e

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