2-diazo-2-methanesulfonyl-1-phenylethanone | 38488-23-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-diazo-2-methanesulfonyl-1-phenylethanone
• 英文别名: (2Z)-2-diazo-2-methylsulfonyl-1-phenylethanone
• CAS: 38488-23-2
• 化学式: C₉H₈N₂O₃S
• 分子量: 224.24
• InChiKey: SGXSJIHESVQSPS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.3
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.11
• 拓扑面积：
  61.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-diazo-2-methanesulfonyl-1-phenylethanone 在 bis{rhodium[3,3'-(1,3-phenylene)bis(2,2-dimethylpropanoic acid)]} 作用下， 以 二氯甲烷 、 甲苯 为溶剂， 反应 0.5h， 生成
  参考文献：
  名称：

  新型 3,4-二氢-1,4-恶嗪（脱氢吗啉）磺酰胺和砜可通过 OH 卡宾插入从合适的 a-重氮酮方便地获得 - 环化序列

  摘要：

  已经开发了一种简短且实用的模块化方法，用于分别从 α-酰基-α-重氮甲基砜和磺酰胺中提取迄今为止未知的脱氢吗啉砜和磺酰胺。它涉及将 Rh(II) 卡宾插入2-溴乙醇的 O H 键，然后通过伯胺和环脱水热促进串联 S N 2 置换溴原子。

  DOI：

  10.1016/j.tetlet.2021.153269
• 作为产物：
  描述：

  2-溴苯乙酮 在 sodium azide 、 3-氯磺酰基苯甲酸 、 碳酸氢钠 、 potassium carbonate 、 sodium sulfite 作用下， 以 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 6.0h， 生成 2-diazo-2-methanesulfonyl-1-phenylethanone
  参考文献：
  名称：

  轻松从磺酰氯和α-卤代酮中一锅获得α-重氮-β-酮砜

  摘要：

  描述了一种从磺酰氯制备α-重氮-β-酮砜的方便的一锅法。它包括将磺酰氯转化为亚磺酸钠，将后者用α-卤代烷烷基化，然后在水性介质中使用“无磺酰叠氮化物”（'SAFE'）方案进行重氮转移。简单方便的方法依赖于容易获得的起始原料，并且可以轻松获得用于有机合成的各种有价值的重氮试剂。

  DOI：

  10.1055/s-0040-1707525

文献信息

• Copper Triflate Mediated α-Monohalogenation of α-Diazo β-Ketosulfones with Ammonium Halides
  作者：Ru-Ting Hsu、Meng-Yang Chang、Chieh-Kai Chan、Heui-Sin Wang

  DOI：10.1055/s-0036-1589479

  日期：——

  Abstract Copper triflate mediated α-monohalogenation of α-diazo β-ketosulfones with ammonium halides provides the corresponding α-halo β-ketosulfones. Different metal triflates are investigated for this facile and efficient transformation. A plausible mechanism is proposed. Copper triflate mediated α-monohalogenation of α-diazo β-ketosulfones with ammonium halides provides the corresponding α-halo

  摘要 三氟甲磺酸铜介导的α-重氮β-酮砜与卤化铵的α-单卤化作用提供了相应的α-卤代β-酮砜。为了实现这种便捷而有效的转换，研究了不同的金属三氟甲磺酸盐。提出了一个合理的机制。 三氟甲磺酸铜介导的α-重氮β-酮砜与卤化铵的α-单卤化作用提供了相应的α-卤代β-酮砜。为了实现这种便捷而有效的转换，研究了不同的金属三氟甲磺酸盐。提出了一个合理的机制。
• Copper Acetate Mediated α-Oxysulfonylation of α-Diazo β-Ketosulfones
  作者：Chieh-Kai Chan、Heui-Sin Wang、Ru-Ting Hsu、Meng-Yang Chang

  DOI：10.1055/s-0036-1588162

  日期：2017.6

  Copper acetate mediated α-oxysulfonylation of α-diazo β-ketosulfones in wet nitromethane under nitrogen provides α-oxysulfonyl β-ketosulfones. The use of different copper salts is investigated for the development of a facile and efficient transformation. A plausible mechanism is proposed herein.

  在潮湿的硝基甲烷中，通过乙酸铜介导的α-氧磺化反应，可以将α-重氮基β-酮磺酮转化为α-氧磺基β-酮磺酮。研究了不同铜盐的使用，以开发简便高效的转化方法。本文提出了一个可能的反应机理。
• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20070292768A1

  公开（公告）日：2007-12-20

  A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

  一种光酸发生剂的化学式为（1）。包括该光酸发生剂的化学增感抗蚀组合物具有诸如高分辨率、焦点宽度、长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状等优点。当该光酸发生剂与具有除了缩醛类型以外的酸敏感基团的树脂结合时，可以改善分辨率和顶部损失。该组合物适用于深紫外光刻。
• Resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Satoshi

  公开号：US20100009299A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F 2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

  本发明涉及一种抗蚀组合物，例如用于在抗蚀物的基板侧边界面上提供优异图案轮廓的化学增感抗蚀组合物，除了在微细加工的光刻工艺中具有更高的分辨率外，特别是在采用KrF激光、ArF激光、F2激光、超短紫外光、电子束、X射线等作为曝光光源的光刻工艺中；以及利用该抗蚀组合物的图案化工艺。本发明提供一种化学增感抗蚀组合物，其包括一种或多种胺化合物或胺氧化合物（除了那些在芳香环的环结构中不含有胺或胺氧原子的氮原子的化合物），至少具有一个羧基，并且没有氢原子共价键结合到氮原子作为碱性中心。