4-amino-N-octylsulfonylbenzenesulfonamide | 915104-83-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-amino-N-octylsulfonylbenzenesulfonamide
• CAS: 915104-83-5
• 化学式: C₁₄H₂₄N₂O₄S₂
• 分子量: 348.488
• InChiKey: VHATTWBJZGLZAW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  520.6±52.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.249±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.2
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  123
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-amino-N-octylsulfonylbenzenesulfonamide 、 三苯基溴化锍 在 silver(l) oxide 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 triphenylsulfonium ((4-aminophenyl)sulfonyl)(octylsulfonyl)amide
  参考文献：
  名称：

  Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition and pattern forming method using the photosensitive composition

  摘要：

  一种光敏组合物，包括：（A）一种化合物，能够在紫外线或辐射照射下生成具有特定结构的化合物，使用该光敏组合物的图案形成方法，以及一种能够在紫外线或辐射照射下生成具有特定结构的化合物。

  公开号：

  US07875746B2
• 作为产物：
  描述：

  1-辛烷磺酰氯 、 磺胺 在 sodium hydroxide 、 盐酸 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 5.0h， 生成 4-amino-N-octylsulfonylbenzenesulfonamide
  参考文献：
  名称：

  Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition and pattern forming method using the photosensitive composition

  摘要：

  一种光敏组合物，包括：（A）一种化合物，能够在紫外线或辐射照射下生成具有特定结构的化合物，使用该光敏组合物的图案形成方法，以及一种能够在紫外线或辐射照射下生成具有特定结构的化合物。

  公开号：

  US07875746B2

文献信息

• RESIST COMPOSITION CONTAINING NOVEL SULFONIUM COMPOUND, PATTERN-FORMING METHOD USING THE RESIST COMPOSITION, AND NOVEL SULFONIUM COMPOUND
  申请人：KAMIMURA Sou

  公开号：US20090042124A1

  公开（公告）日：2009-02-12

  A resist composition includes (A) a compound represented by the following formula (I): wherein each of R 1 to R 13 independently represents a hydrogen atom or a substituent, provided that at least one of R 1 to R 13 is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z represents a single bond or a divalent linking group; and X − represents an anion containing a proton acceptor functional group.

  一种抗性组合物包括(A)由以下公式（I）所代表的化合物：其中R1至R13中的每一个独立地代表氢原子或取代基，前提是R1至R13中至少有一个是含有醇羟基的取代基；Z代表单键或二价连接基团；X-代表含有质子受体功能基团的阴离子。
• PATTERN FORMING METHOD, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST FILM
  申请人：Enomoto Yuichiro

  公开号：US20120282548A1

  公开（公告）日：2012-11-08

  Provided is a pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises (A) a resin capable of decreasing the solubility for an organic solvent-containing developer by the action of an acid, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (D) a solvent, and (G) a compound having at least either one of a fluorine atom and a silicon atom and having basicity or being capable of increasing the basicity by the action of an acid.

  提供的是一种形成图案的方法，包括(i)使用光致或辐射敏感树脂组成物形成薄膜的步骤，(ii)曝光薄膜的步骤，以及(iii)使用有机溶剂含有的显影剂显影曝光后的薄膜的步骤，其中光致或辐射敏感树脂组成物包括(A)一种能够通过酸的作用降低有机溶剂含有的显影剂的溶解度的树脂，(B)一种能够在光致或辐射照射下生成酸的化合物，(D)一种溶剂，以及(G)一种具有氟原子和硅原子中的至少一种，并具有碱性或能够通过酸的作用增加碱性的化合物。
• POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
  申请人：HIRANO Shuji

  公开号：US20080248419A1

  公开（公告）日：2008-10-09

  A positive resist composition, includes: (A) a resin that has a group having absorption at 248 nm at a main chain terminal of the resin (A), and a pattern forming method uses the composition.

  一种正性光刻胶组合物，包括：（A）一种具有在树脂（A）的主链端具有在248nm处吸收的基团的树脂，并且使用该组合物进行图案形成的方法。
• ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND RESIN
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US20150132688A1

  公开（公告）日：2015-05-14

  There is provided an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising (P) a resin having (a) a repeating unit represented by the specific formula; a resist film formed using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a pattern forming method comprising (i) a step of forming a film by using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using a developer to form a pattern; a method for manufacturing an electronic device, comprising the pattern forming method; and an electronic device manufactured by the manufacturing method of an electronic device.

  提供了一种光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物，其中包括（P）具有（a）由特定公式表示的重复单元的树脂；使用该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物形成的抗蚀膜；包括（i）使用该光致射线敏感或辐射敏感的树脂组合物形成膜的步骤，（ii）曝光膜的步骤，以及（iii）使用显影剂显影曝光的膜以形成图案的图案形成方法；一种制造电子设备的方法，包括图案形成方法；以及通过电子设备的制造方法制造的电子设备。
• PATTERN FORMING METHOD, COMPOSITION KIT AND RESIST FILM, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE USING THEM, AND ELECTRONIC DEVICE
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US20160018734A1

  公开（公告）日：2016-01-21

  There is provided a pattern forming method comprising (a) a step of forming a film on a substrate using an electron beam-sensitive or extreme ultraviolet radiation-sensitive resin composition, (b) a step of forming a top coat layer on the film using a top coat composition containing a resin (T) containing at least any one of repeating units represented by formulae (I-1) to (I-5) shown below, (c) a step of exposing the film having the top coat layer using an electron beam or an extreme ultraviolet radiation, and (d) a step of developing the film having the top coat layer after the exposure to form a pattern.

  提供了一种图案形成方法，包括以下步骤：(a)使用电子束敏感或极紫外辐射敏感的树脂组合物在基板上形成薄膜的步骤，(b)使用含有至少一个由下式(I-1)到(I-5)中所示的重复单元表示的树脂(T)的顶层涂料组成的顶层涂料层的形成步骤，(c)使用电子束或极紫外辐射照射具有顶层涂料层的薄膜的步骤，以及(d)在照射后开发具有顶层涂料层的薄膜以形成图案的步骤。