tris(1-napthyl)silicon(IV) chloride | 18919-20-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: tris(1-napthyl)silicon(IV) chloride
• 英文别名: tris(1-naphthyl)chlorosilane；Tri-(1-naphthyl)-chlor-silan；(1-na)3SiCl；chloro-tri-[1]naphthyl-silane；Chlor-tri-[1]naphthyl-silan；Chlorotris(1-naphthyl)silane；chloro(trinaphthalen-1-yl)silane
• CAS: 18919-20-5
• 化学式: C₃₀H₂₁ClSi
• 分子量: 445.035
• InChiKey: MYDNUGXCPDHWKF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  210-211 °C(Solv: ethanol (64-17-5))
• 沸点：
  309-313 °C
• 密度：
  1.24±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.35
• 重原子数：
  32
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(1-napthyl)silicon(IV) chloride 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 为溶剂， 生成 三-[1]萘基-硅烷
  参考文献：
  名称：

  芳基硅烷的电化学性质

  摘要：

  过去，出于基本原因和合成目的对有机硅化合物的电化学性质进行了研究。然而，关于含氢芳基硅烷的电化学行为知之甚少。在这里，我们将重点介绍11种芳基硅烷化合物的电化学性质，其中2种是首次合成。发现氧化电位取决于芳基的性质和数量。基于这些发现，有可能建立一些与预期的结构-特性相关的变化趋势。此外，我们提出了对后面的电化学反应动力学的初步见解，并确定了几种可溶的电化学氧化产物。

  DOI：

  10.1016/j.elecom.2019.03.010
• 作为产物：
  描述：

  1-溴代萘 在 正丁基锂 、 四氯化硅 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 tris(1-napthyl)silicon(IV) chloride
  参考文献：
  名称：

  芳基硅烷的电化学性质

  摘要：

  过去，出于基本原因和合成目的对有机硅化合物的电化学性质进行了研究。然而，关于含氢芳基硅烷的电化学行为知之甚少。在这里，我们将重点介绍11种芳基硅烷化合物的电化学性质，其中2种是首次合成。发现氧化电位取决于芳基的性质和数量。基于这些发现，有可能建立一些与预期的结构-特性相关的变化趋势。此外，我们提出了对后面的电化学反应动力学的初步见解，并确定了几种可溶的电化学氧化产物。

  DOI：

  10.1016/j.elecom.2019.03.010

文献信息

• X-ray structures and photophysical properties of Tris(1-naphthyl)silicon(IV) derivatives
  作者：Kisturi Dhanwant、Tristram Chivers、M. Bhanuchandra、Ramalingam Thirumoorthi

  DOI：10.1016/j.molstruc.2020.128650

  日期：2020.11

  Abstract Silyl-substituted naphthalene derivatives, tris(1-napthyl)silicon (IV) chloride (1), tris(1-napthyl)silicon (IV) hydroxide (2) and tris(1-napthyl)silicon (IV)-n-butoxide (3) have been structurally characterized by single-crystal X-ray diffraction. The close intermolecular proximity of the naphthyl substituents groups in 1–3 results in a variety of C–H---π intermolecular interactions to form

  摘要 甲硅烷基取代的萘衍生物、三(1-萘基)硅(IV)氯化物(1)、三(1-萘基)硅(IV)氢氧化物(2)和三(1-萘基)硅(IV)-n-丁醇盐 (3) 已通过单晶 X 射线衍射进行结构表征。1-3 中萘基取代基的分子间接近导致各种 C-H---π 分子间相互作用形成二维组装。1-3 的 UV-vis 光谱显示红移（红色），并且相对于未取代的萘，消光系数增加。量子产率计算表明，相对于 1-三甲基甲硅烷基萘，1-3 的荧光发射效率显着降低。
• 含硅有机化合物、混合物、组合物及有机电子器件
  申请人：广州华睿光电材料有限公司

  公开号：CN114685550A

  公开（公告）日：2022-07-01

  本发明涉及一种含硅有机化合物、混合物、组合物及有机电子器件。该含硅有机化合物具有式(1)所示结构，将其用于发光材料有机电子器件中，可提高器件的寿命和稳定性。
• Some Tetrasubstituted Naphthyl- and Tolylsilanes
  作者：Henry Gilman、Cecil G. Brannen、Robert K. Ingham

  DOI：10.1021/ja01619a069

  日期：1955.7
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 89, page 242 - 246
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Some 1-Naphthylsilicon Compounds
  作者：Henry Gilman、Cecil G. Brannen

  DOI：10.1021/ja01154a043

  日期：1951.10