triphenylsulfonium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropanoate | 365971-74-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: triphenylsulfonium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropanoate
• 英文别名: Triphenylsulfonium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropanoate；3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-(trifluoromethyl)propanoate;triphenylsulfanium
• CAS: 365971-74-0
• 化学式: C₄HF₆O₃*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 474.424
• InChiKey: GHOSQFOBODXTJJ-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.37
• 重原子数：
  32
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  61.4
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  9

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3,3,3-三氟-2-羟基-2-三氟甲基丙酸甲酯 、 4-甲基-2-戊酮 在 盐酸 、 sodium hydroxide 作用下， 以 二氯甲烷 、 异丙醚 、 水 为溶剂， 以44%的产率得到triphenylsulfonium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropanoate
  参考文献：
  名称：

  CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS

  摘要：

  一种化学增感正型光刻胶组合物，包括（A）三氟甲基-3,3,3-三氟-2-羟基-2-丙酸磺酸盐，（B）酸发生剂，（C）碱性树脂和（D）有机溶剂，适用于ArF浸没光刻。羧酸磺酸盐具有高度疏水性，在浸没水中几乎不溶出。通过控制酸扩散，可以构建具有高分辨率的图案轮廓。

  公开号：

  US20130034813A1

文献信息

• CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ArF IMMERSION LITHOGRAPHY AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20130034813A1

  公开（公告）日：2013-02-07

  A chemically amplified positive resist composition comprising (A) a sulfonium salt of 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropionic acid, (B) an acid generator, (C) a base resin, and (D) an organic solvent is suited for ArF immersion lithography. The carboxylic acid sulfonium salt is highly hydrophobic and little leached out in immersion water. By virtue of controlled acid diffusion, a pattern profile with high resolution can be constructed.

  一种化学增感正型光刻胶组合物，包括（A）三氟甲基-3,3,3-三氟-2-羟基-2-丙酸磺酸盐，（B）酸发生剂，（C）碱性树脂和（D）有机溶剂，适用于ArF浸没光刻。羧酸磺酸盐具有高度疏水性，在浸没水中几乎不溶出。通过控制酸扩散，可以构建具有高分辨率的图案轮廓。