2,6-dihydroxybenzene sulphonic acid | 17724-07-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2,6-dihydroxybenzene sulphonic acid
• 英文别名: 2,6-Dihydroxybenzenesulfonic acid
• CAS: 17724-07-1
• 化学式: C₆H₆O₅S
• 分子量: 190.177
• InChiKey: ZZJVDYQPZOHNIK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 密度：
  1.743±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.1
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  103
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  硫酸 、 间苯二酚 生成 2,6-dihydroxybenzene sulphonic acid
  参考文献：
  名称：

  Darzens; Dubois, Bulletin de la Societe Chimique de France, 1892, vol. <3> 7, p. 713

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Systematic evaluation of a new organic material: 1-methyl-1H-imidazol-3-ium-2,4,6-trinitrobenzene-1,3-bis(olate) for optoelectronics through spectral, structural, electrical, optical, quantum chemical and Hirshfeld surface studies
  作者：P. Dhamodharan、K. Sathya、M. Dhandapani

  DOI：10.1016/j.jpcs.2017.01.019

  日期：2017.5

  the monoclinic system with a space group of P21/c. The electrostatic attraction between anions and cations stabilizes the crystal lattice and the N-H…O and C-H…O hydrogen bonds linking the cations and anions supplement the stable three dimensional networks. The material was thermally stable up to 178 °C. The molecular structure was optimized by Gaussian 09 program at B3LYP/6–311++G(d,p) level of basis

  摘要 一种新的有机材料 1-methyl-1H-imidazol-3-ium-2,4,6-trinitrobenzo-1,3-bis(olate) (MITB)环境温度。MITB 中的特征官能团是从 FT-IR 光谱中鉴定出来的。1H、13C 和 DEPT-135 NMR 光谱技术用于确定 MITB 中碳和质子的类型。该化合物在空间群为 P21/c 的单斜晶系中结晶。阴离子和阳离子之间的静电吸引力稳定了晶格，连接阳离子和阴离子的 NH…O 和 CH…O 氢键补充了稳定的三维网络。该材料在高达 178 °C 时具有热稳定性。分子结构通过 Gaussian 09 程序在 B3LYP/6–311++G(d,p) 基组水平上进行优化。氢键相互作用导致 MITB 的超极化值更大，并且发现该值是参考材料尿素的 34 倍。计算 HOMO-LUMO、静电势面和马利肯原子电荷以探索 MITB 中存在的共价和非共价相互作用。进行
• Studies on synthesis, structural, luminescent and thermal properties of a new non-linear optical crystal: 4-amino-4H-1,2,4-triazol-1-ium-3-hydroxy-2,4,6-trinitrophenolate
  作者：P. Dhamodharan、K. Sathya、M. Dhandapani

  DOI：10.1016/j.physb.2016.12.009

  日期：2017.3

  to characterize the crystal. Optical, spectral and thermal properties of the title crystal were analyzed to recommend the material for optical applications. Z-scan was used to measure the effective third-order nonlinear optical susceptibility and nonlinear refractive index. The crystal structure was determined using single crystal XRD method and the structure was optimized using Gaussian 09 program

  摘要 对具有 NLO 活性的新型有机质子转移复合物 4-amino-4H-1,2,4-triazol-1-ium-3-hydroxy-2,4,6-trinitrophenolate (ATHTP) 进行了结晶研究，并对其影响因素进行了研究。从而稳定晶体的结构。该化合物以三斜晶系结晶，空间群为P-1。进行元素分析、热分析、UV-Vis-NIR、FT-IR 和 NMR 光谱分析以表征晶体。分析了标题晶体的光学、光谱和热特性，以推荐用于光学应用的材料。Z扫描用于测量有效的三阶非线性光学磁化率和非线性折射率。晶体结构使用单晶 XRD 方法确定，并使用 Gaussian 09 程序在 B3LYP/6-311++G(d,p) 水平的基组上优化结构。这种氢键相互作用导致 ATHTP 的一级超极化能力增加，是尿素的 30 倍。Hirshfeld 分析 进行表面分析以探索结晶状态下的分子间相互作用。
• Proton catalysed reactions
  申请人：The British Petroleum Company p.l.c.

  公开号：EP0259105A2

  公开（公告）日：1988-03-09

  Processes for carrying out proton-catalysed reactions are carried out in the presence of a solid acidic catalyst which is a metal oxide containing surface acid groups obtainable by treating a solid metal oxide containing residual hydroxyl groups with an acid, or a mixture of metal oxides so-obtainable. Particularly useful metal oxides are zirconia and stannic oxide.

  进行质子催化反应的工艺是在固体酸性催化剂存在下进行的，这种催化剂是一种含有表面酸性基团的金属氧化物，可通过用酸处理含有残余羟基的固体金属氧化物或可获得的金属氧化物混合物而获得。特别有用的金属氧化物是氧化锆和氧化锡。
• POLISHING COMPOUND AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP1369906A1

  公开（公告）日：2003-12-10

  A polishing slurry and a polishing method which are suitably used in a CMP technique for flattening a surface of a substrate in a production process of a semiconductor device. The polishing slurry comprises particles and a medium in which at least a part of the particles are dispersed, wherein the particles are made of at least one of (1) a cerium compound selected from cerium oxide, cerium halide and cerium sulfide and having a density of 3 to 6 g/cm3 and an average particle diameter of secondary particles of 1 to 300 nm and (2) a tetravalent metal hydroxide. A polishing method using the polishing slurry takes advantage of a chemical action of particles in the polishing slurry and minimizes a mechanical action of the particles, thereby achieving a decrease in scratches caused by the particles and an increase in polishing rate at the same time.

  一种抛光浆料和抛光方法，适用于半导体设备生产过程中用于使基底表面平坦化的 CMP 技术。抛光浆料包括颗粒和介质，其中至少有一部分颗粒分散在介质中，其中颗粒由以下至少一种制成：(1)选自氧化铈、卤化铈和硫化铈的铈化合物，其密度为 3 至 6 g/cm3，次级颗粒的平均颗粒直径为 1 至 300 nm；(2)四价金属氢氧化物。使用抛光浆料的抛光方法可利用抛光浆料中颗粒的化学作用，并将颗粒的机械作用降至最低，从而减少颗粒造成的划痕，同时提高抛光率。
• Polishing slurry and method of polishing substrate
  申请人：Hitachi Chemical Company, Ltd.

  公开号：EP2418258A1

  公开（公告）日：2012-02-15

  polishing slurry and a polishing method which are suitably used in a CMP technique for flattening a surface of a substrate in a production process of a semiconductor device. The polishing slurry comprises particles and a medium in which at least a part of the particles are dispersed, wherein the particles are made of at least one of (1) a cerium compound selected from cerium oxide, cerium halide and cerium sulfide and having a density of 3 to 6 g/cm3 and an average particle diameter of secondary particles of 1 to 300 nm and (2) a tetravalent metal hydroxide. A polishing method using the polishing slurry takes advantage of a chemical action of particles in the polishing slurry and minimizes a mechanical action of the particles, thereby achieving a decrease in scratches caused by the particles and an increase in polishing rate at the same time.

  抛光浆料和抛光方法，适用于半导体设备生产过程中用于使基底表面平坦化的 CMP 技术。抛光浆料包括颗粒和介质，其中至少有一部分颗粒分散在介质中，其中颗粒由以下至少一种制成：(1) 选自氧化铈、卤化铈和硫化铈的铈化合物，其密度为 3 至 6 g/cm3，次级颗粒的平均颗粒直径为 1 至 300 nm；(2) 四价金属氢氧化物。使用抛光浆料的抛光方法可利用抛光浆料中颗粒的化学作用，并将颗粒的机械作用降至最低，从而减少颗粒造成的划痕，同时提高抛光率。