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Amino-di-tert-butylphosphan | 17858-28-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Amino-di-tert-butylphosphan
英文别名
Amino-di-tert.-butyl-phosphin;2-[Amino(tert-butyl)phosphanyl]-2-methylpropane
Amino-di-tert-butylphosphan化学式
CAS
17858-28-5
化学式
C8H20NP
mdl
——
分子量
161.227
InChiKey
CTNTXYYAPWZQQX-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    -1-1 °C
  • 沸点:
    33-34 °C(Press: 2 Torr)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.2
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    26
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    1

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Amino-di-tert-butylphosphan四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 1.25h, 生成 N'-(di-tert-butylphosphanyl)-N,N-diisopropylformamidine
    参考文献:
    名称:
    N-(二叔丁基膦酰基)-和N-(二叔丁基磷硒酰)甲脒盐的简便方法:卡宾前体
    摘要:
    研究了(二叔丁基膦酰基)胺和P,P-二叔丁基膦硒酸酰胺与Alder's二聚体的反应。对于二叔丁基膦酰胺,反应通过 Alder 二聚体在磷原子上的初级亲电攻击进行,以提供双阳离子盐 3。3 的去质子化导致 N-膦酰甲脒5(“磷酰胺”)。烷基(二叔丁基膦酰基)胺与阿尔德氏二聚体以 2:1 的摩尔比反应,得到 N-膦酰基甲脒盐;第二当量的(烷基氨基)膦作为碱。(芳氨基)膦与Alder的二聚体反应得到苯氮杂磷衍生物。为了指导阿尔德二聚体在氮原子上的亲电攻击,使用了膦硒酸酰胺。他们与阿尔德反应 硒原子上的二聚体,然后是硒-磷位移,得到 N-(二叔丁基磷硒酰)甲脒盐。具有庞大取代基(金刚烷基,tBu)的膦亚硒酰胺经历了 N-烷基键的断裂,得到了磷酰胺。分离和表征了各种关键中间体,例如 3 和 22b。开发了一种合成卡宾前体 PIII 和 PV N-取代甲脒盐的简便方法。
    DOI:
    10.1002/ejic.201301365
  • 作为产物:
    描述:
    二叔丁基氯化膦 作用下, 以 乙醚 为溶剂, 以90%的产率得到Amino-di-tert-butylphosphan
    参考文献:
    名称:
    合成13/15三元链化合物† ‡
    摘要:
    本文中,我们介绍了从t Bu 2 PNH 2(1)与Me反应获得的七元13/15基链化合物HB {N(H)P t Bu 2 BH 3 } 2(3)的合成和表征2 S·BH 3。此外,我们描述了铝和镓化合物t Bu 2 PN(H)Al t Bu 2 N(H)P(H)t Bu 2(4)和t Bu 2(H)PN(H)Ga t的合成由t Bu 2 PNH 2(1)与M t Bu 3(M = Al,Ga)反应生成的Bu 3(5)。
    DOI:
    10.1039/c8dt01119b
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文献信息

  • A practical method for N-alkylation of phosphinic (thio)amides with alcohols via transfer hydrogenation
    作者:Tanner C. Jankins、Zi-Yang Qin、Keary M. Engle
    DOI:10.1016/j.tet.2019.04.029
    日期:2019.6
    This manuscript describes a modular method for preparing N-alkyl phosphinic amides from primary or secondary alcohols and primary phosphinic amide (R1R2P = ONH2) nucleophiles via transfer hydrogenation. The transformation typically proceeds in excellent yields, employs conveniently available reagents, and produces water as the only byproduct.
    该手稿描述了通过转移氢化从伯或仲醇和伯次膦酰胺(R 1 R 2 P = ONH 2)亲核试剂制备N-烷基次膦酰胺的模块化方法。该转化通常以优异的收率进行,使用方便获得的试剂,并且产生水作为唯一的副产物。
  • [EN] ENANTIOMERICALLY ENRICHED AMINODIPHOSPHINES AS LIGANDS FOR THE PREPARATION OF CATALYSTS FOR ASYMMETRIC SYNTHESIS<br/>[FR] AMINODIPHOSPHINES ÉNANTIOMÉRIQUEMENT ENRICHIES COMME LIGANDS POUR LA PRÉPARATION DE CATALYSEURS POUR UNE SYNTHÈSE ASYMÉTRIQUE
    申请人:ENANTIA S L
    公开号:WO2011098160A1
    公开(公告)日:2011-08-18
    The present invention relates to enantiomerically enriched aminodiphosphine ligands where the chirality is located in the phosphorus atom and their preparation process, to catalysts containing them and their preparation process, as well as their use in asymmetric synthesis.
    本发明涉及富含对映体的氨基二膦配体,其中手性位于磷原子上,以及它们的制备过程,包含它们的催化剂和其制备过程,以及它们在不对称合成中的应用。
  • Enantiomerically Enriched Aminodiphosphines as Ligands for the Preparation of Catalysts for Asymmetric Synthesis
    申请人:Alonso Xalma Mónica
    公开号:US20120309997A1
    公开(公告)日:2012-12-06
    The present invention relates to enantiomerically enriched aminodiphosphine ligands where the chirality is located in the phosphorus atom and their preparation process, to catalysts containing them and their preparation process, as well as their use in asymmetric synthesis.
    本发明涉及手性富集的氨基二膦配体,其中手性位于磷原子上,以及它们的制备过程,包含它们的催化剂和其制备过程,以及它们在不对称合成中的应用。
  • Ga(N,P) Growth on Si and Decomposition Studies of the N–P Precursor Di-<i>tert</i>-butylaminophosphane (DTBAP)
    作者:Johannes Glowatzki、Oliver Maßmeyer、Marcel Köster、Thilo Hepp、Ebunoluwa Odofin、Carsten von Hänisch、Wolfgang Stolz、Kerstin Volz
    DOI:10.1021/acs.organomet.0c00078
    日期:2020.5.26
    decomposition temperature of 310 °C and the realization of Ga(N,P) layers grown at temperatures as low as 475 °C with a high N incorporation of over 10%. Furthermore, the gas-phase decomposition of DTBAP has been studied with a real-time fast Fourier transform quadrupole ion trap mass spectrometer attached inline to the MOVPE reactor. The decomposition of DTBAP behaves very similarly to the As analogue
    含少量氮(稀氮化物)的III / V半导体有望用于激光器和太阳能电池等应用。金属有机气相外延技术(MOVPE)是在工业规模上生长III / V半导体的一种广泛使用的技术,这种方法的稀氮化物的生长对于以后成功进入市场很有希望。稀氮化物的主要问题是常规N前驱体的碳掺入和低氮掺入效率。由于高氮掺入效率和As和n前驱二-的低分解温度叔-butylaminoarsane(DTBAA),类似的P-和含N的前体,二-叔合成并在实验室规模上纯化了丁丁基氨基膦(DTBAP)。在这项工作中进行了使用该前体的生长研究,以在Si和GaP衬底上实现Ga(N,P)/ GaP多量子阱。该结构显示出N结合的证据,并且通过高分辨率X射线衍射确认了良好的层结构。根据不同的生长参数对氮掺入的影响,表征了生长速率和表面形态,为将来可能的生长应用奠定了基础。与传统的N源1,1-二甲基肼(UDMHy)相比,DTBAP具有许多优势,例
  • Storzer, Werner; Roeschenthaler, Gerd-Volker; Schmutzler, Reinhard, Chemische Berichte, 1981, vol. 114, # 11, p. 3609 - 3624
    作者:Storzer, Werner、Roeschenthaler, Gerd-Volker、Schmutzler, Reinhard、Sheldrick, William S.
    DOI:——
    日期:——
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