含少量氮(稀
氮化物)的III / V半导体有望用于激光器和太阳能电池等应用。
金属有机气相外延技术(MOVPE)是在工业规模上生长III / V半导体的一种广泛使用的技术,这种方法的稀
氮化物的生长对于以后成功进入市场很有希望。稀
氮化物的主要问题是常规N前驱体的碳掺入和低氮掺入效率。由于高氮掺入效率和As和n前驱二-的低分解温度叔-butylaminoarsane(DTBAA),类似的P-和含N的前体,二-叔合成并在实验室规模上纯化了丁丁基
氨基膦(DT
BAP)。在这项工作中进行了使用该前体的生长研究,以在Si和GaP衬底上实现Ga(N,P)/ GaP多量子阱。该结构显示出N结合的证据,并且通过高分辨率X射线衍射确认了良好的层结构。根据不同的生长参数对氮掺入的影响,表征了生长速率和表面形态,为将来可能的生长应用奠定了基础。与传统的N源
1,1-二甲基肼(U
DMHy)相比,DT
BAP具有许多优势,例