N,N-dibutylheptane-1-amine | 3553-87-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N,N-dibutylheptane-1-amine
• 英文别名: dibutyl-heptyl-amine；Dibutyl-n-heptyl-amin；Dibutyl-heptyl-amin；N,N-dibutyl-heptylamine；Di-n-butyl-n-heptylamin；N,N-Dibutylheptylamin；N,N-dibutylheptan-1-amine
• CAS: 3553-87-5
• 化学式: C₁₅H₃₃N
• 分子量: 227.434
• InChiKey: VATIUTJNSBVQMX-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  119-120 °C(Press: 7 Torr)
• 密度：
  0.8088 g/cm3(Temp: 0 °C)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.6
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-dibutylheptane-1-amine 在 /BRN= 505934/ 作用下， 生成 Dibutyl-ethyl-heptyl-ammonium; iodide
  参考文献：
  名称：

  Andreev,V.P. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1979, vol. 15, p. 410 - 413

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  庚醛 、 二正丁胺 在 nickel 、 氢气 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 180.0 ℃ 、101.33 kPa 条件下， 以80.9%的产率得到N,N-dibutylheptane-1-amine
  参考文献：
  名称：

  有机合成中的胶体和纳米级催化剂：XXIII。活塞流反应器中镍纳米粒子催化的羰基化合物的还原胺化

  摘要：

  在活塞流式反应器中，在气相或气液系统中，负载在沸石X，MgO或活性炭上的镍纳米粒子在催化下，用伯胺和仲胺对醛和酮进行还原性胺化反应，在氢气的大气压下进行。高产率地形成仲胺或叔胺。

  DOI：

  10.1134/s1070363219120016

文献信息

• PROCESS FOR PREPARING TRIMETHYLOL COMPOUNDS AND FORMIC ACID
  申请人：——

  公开号：US20020077502A1

  公开（公告）日：2002-06-20

  The present invention relates to a process for preparing trimethylol compounds and formic acid by reaction of formaldehyde and aldehydes in the presence of a nitrogen base and distillation of the resulting reaction mixture in the presence of an auxiliary.

  本发明涉及一种制备三甲醇化合物和甲酸的方法，其通过在氮碱存在下，将甲醛和醛类化合物反应，并在辅助剂的存在下蒸馏所得反应混合物。
• Verfahren zur Herstellung von Trimethylolverbindungen und Ameisensäure
  申请人：BAYER AG

  公开号：EP1216979A1

  公开（公告）日：2002-06-26

  Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trimethylolverbindungen und Ameisensäure durch Umsetzung von Formaldehyd und Aldehyden in Gegenwart einer Stickstoffbase und Destillation des erhaltenen Reaktionsgemisches in Gegenwart eines Hilfsstoffes.

  本发明涉及一种制备三羟甲基化合物和甲酸的工艺，其方法是在氮碱存在下使甲醛和醛类发生反应，并在助剂存在下对生成的反应混合物进行蒸馏。
• POLYISOCYANATE COMPOSITION, COATING COMPOSITION AND COATING SUBSTRATE
  申请人：Asahi Kasei Kabushiki Kaisha

  公开号：EP3778686A1

  公开（公告）日：2021-02-17

  A polyisocyanate composition includes a polyisocyanate containing a sulfonic acid anion group in a molecule, a tertiary ammonium cation of an amine compound, and a uretdione dimer and isocyanurate trimer of a diisocyanate monomer, wherein the tertiary ammonium cation of the amine compound includes a tertiary ammonium cation of one or more amine compounds represented by general formula (1), a content of the uretdione dimer is 2.0% by mass or more and 20.0% by mass or less with respect to a total mass of the composition, and a content of a uretdione dimer containing a sulfonic acid anion group in a molecule is 0.15% by mass or less with respect to a total mass of the polyisocyanate containing a sulfonic acid anion group in a molecule, the uretdione dimer and the isocyanurate trimer.

  一种多异氰酸酯组合物包括分子中含有磺酸阴离子基团的多异氰酸酯、胺化合物的叔铵盐阳离子以及二异氰酸酯单体的脲二酮二聚体和异氰尿酸酯三聚体、 其中胺化合物的叔铵阳离子包括通式(1)代表的一种或多种胺化合物的叔铵阳离子、 脲二酮二聚体的含量占组合物总质量的 2.0%（以质量计）或以上，20.0%（以质量计）或以下，以及 相对于分子中含有磺酸阴离子基团的多异氰酸酯、脲二酮二聚体和异氰尿酸酯三聚体的总质量而言，分子中含有磺酸阴离子基团的脲二酮二聚体的含量为 0.15%（以质量计）或更少。
• Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US10985327B2

  公开（公告）日：2021-04-20

  Provided are an organic semiconductor film, an organic semiconductor transistor formed of the organic semiconductor film, and a method of manufacturing the organic semiconductor transistor. In the organic semiconductor film, the formation or propagation of cracks can be effectively suppressed even in a case where the organic semiconductor film is patterned or is exposed to high heat. Provided are an organic semiconductor film, an organic semiconductor transistor formed of the organic semiconductor film, and a method of manufacturing the organic semiconductor transistor. The microcrystalline organic semiconductor film includes a compound represented by the following Formula (1) that has a molecular weight of 3000 or lower and in which a crystal domain size is 1 nm to 100 nm. X, Y, and Z each independently represent a specific ring-constituting atom. R1 and R2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. R3 and R4 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. m and n each independently represent an integer of 0 to 2.

  本发明提供了一种有机半导体薄膜、一种由该有机半导体薄膜形成的有机半导体晶体管以及一种制造该有机半导体晶体管的方法。在有机半导体薄膜中，即使在有机半导体薄膜被图案化或暴露于高热的情况下，也能有效抑制裂纹的形成或传播。 本发明提供了一种有机半导体薄膜、由该有机半导体薄膜形成的有机半导体晶体管以及该有机半导体晶体管的制造方法。微晶有机半导体薄膜包括由下式(1)表示的化合物，该化合物的分子量为 3000 或更低，其晶域尺寸为 1 nm 至 100 nm。 X、Y 和 Z 各自独立地代表一个特定的成环原子。R1 和 R2 各自独立地代表氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。R3 和 R4 各自独立地代表卤原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。
• Hager; Marvel, Journal of the American Chemical Society, 1926, vol. 48, p. 2695
  作者：Hager、Marvel

  DOI：——

  日期：——