4-{(E)-[4-(Diphenylamino)phenyl]diazenyl}benzonitrile | 648901-10-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 4-{(E)-[4-(Diphenylamino)phenyl]diazenyl}benzonitrile
• 英文别名: 4-[[4-(N-phenylanilino)phenyl]diazenyl]benzonitrile
• CAS: 648901-10-4
• 化学式: C₂₅H₁₈N₄
• 分子量: 374.445
• InChiKey: OMZLSLXFCTZUSL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  574.3±35.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.10±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.8
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  51.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三苯胺 、 对氨基苯腈 在 盐酸 、 sodium nitrite 作用下， 以 水 、 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 3.5h， 以92%的产率得到4-{(E)-[4-(Diphenylamino)phenyl]diazenyl}benzonitrile
  参考文献：
  名称：

  调整分子骨架中电荷陷阱的数量和深度，以实现可调的多级数据存储性能†

  摘要：

  一系列具有富电子单元的共轭供体-受体（DA）分子 三苯胺 （TPA）作为捐助者， 偶氮苯成功地合成了发色团和/或氰基作为受体。数量和吸电子强度不同的受体被并入分子骨架，以研究对器件开关行为的影响。发现数据存储状态和存储效应高度依赖于电子缺陷基团的数量和强度。基于具有两个吸电子基团的D–π–A1–π–A2分子的器件表现出出色的三元记忆性能，而基于D–π–A1或D–π–A2分子的器件具有一个电子接受部分显示二进制内存特征。此外，TPAVC 2和TPAAH 3的双稳态记忆效应当受体从氰基变为偶氮苯生色团时，基于WOR的数据存储设备从WORM变为闪存。因此，通过调节分子主链中受体部分的数量和吸电子强度，可实现可调级多级存储设备的性能，为合理设计用于高密度数据存储（HDDS）的高级D–A分子提供了指导。

  DOI：

  10.1039/c3tc00745f

文献信息

• Adjustment of charge trap number and depth in molecular backbone to achieve tunable multilevel data storage performance
  作者：Shifeng Miao、Yongxiang Zhu、Hao Zhuang、Xiaoping Xu、Hua Li、Ru Sun、Najun Li、Shunjun Ji、Jianmei Lu

  DOI：10.1039/c3tc00745f

  日期：——

  molecule with two electron-withdrawing groups exhibited excellent ternary memory behavior, while those based on the D–π–A1 or D–π–A2 molecule containing one electron-accepting moiety showed binary memory characteristics. In addition, the bistable memory effects of TPAVC 2 and TPAAH 3-based data storage devices varied from WORM to flash when the acceptor changed from a cyano group to an azobenzene chromophore

  一系列具有富电子单元的共轭供体-受体（DA）分子 三苯胺 （TPA）作为捐助者， 偶氮苯成功地合成了发色团和/或氰基作为受体。数量和吸电子强度不同的受体被并入分子骨架，以研究对器件开关行为的影响。发现数据存储状态和存储效应高度依赖于电子缺陷基团的数量和强度。基于具有两个吸电子基团的D–π–A1–π–A2分子的器件表现出出色的三元记忆性能，而基于D–π–A1或D–π–A2分子的器件具有一个电子接受部分显示二进制内存特征。此外，TPAVC 2和TPAAH 3的双稳态记忆效应当受体从氰基变为偶氮苯生色团时，基于WOR的数据存储设备从WORM变为闪存。因此，通过调节分子主链中受体部分的数量和吸电子强度，可实现可调级多级存储设备的性能，为合理设计用于高密度数据存储（HDDS）的高级D–A分子提供了指导。