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benzyltriethylammonium p-toluenesulfonate | 77785-48-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
benzyltriethylammonium p-toluenesulfonate
英文别名
triethylbenzylammonium p-toluenesulfonate;Benzyl(triethyl)azanium;4-methylbenzenesulfonate
benzyltriethylammonium p-toluenesulfonate化学式
CAS
77785-48-9
化学式
C7H7O3S*C13H22N
mdl
——
分子量
363.521
InChiKey
OVCUITWRCADMRY-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.96
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.4
  • 拓扑面积:
    65.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    苄基三乙基氯化铵对甲苯磺酸甲酯 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 以77%的产率得到benzyltriethylammonium p-toluenesulfonate
    参考文献:
    名称:
    Kukhar', V. P.; Pasternak, V. I.; Shevchenko, I. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1981, p. 161 - 166
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Polymerizable composition for polythiourethane optical material, polythiourethane optical material obtained from the polymerizable composition, and polymerization catalyst for polythiourethane optical material
    申请人:Mitsui Chemicals, Inc.
    公开号:EP2407498A2
    公开(公告)日:2012-01-18
    The polymerizable composition for a polythiourethane optical material of the present invention includes (A) a polymerization catalyst for a polythiourethane optical material, (B) at least one compound selected from an isocyanate compound and an isothiocyanate compound, and (C) a compound containing one or more mercapto groups, wherein said polymerization catalyst for a polythiourethane optical material (A) includes (a1) a zinc compound, and (a4)a compound represented by the following general formula (4).
    本发明的聚硫乙烷光学材料可聚合组合物包括 (A) 聚硫乙烷光学材料聚合催化剂,(B) 至少一种选自异氰酸酯化合物和异硫氰酸酯化合物的化合物,以及 (C) 含有一个或多个巯基的化合物,其中所述聚硫乙烷光学材料聚合催化剂 (A) 包括 (a1) 一种锌化合物,以及 (a4) 一种由下式通式 (4) 表示的化合物。
  • Silicone coating composition
    申请人:AZ Electronic Materials USA Corp.
    公开号:EP2450412A1
    公开(公告)日:2012-05-09
    The present invention relates to a composition comprising: (a) a polymer having at least one repeating unit of formula where R1 is a non-hydrolysable group and n is an integer ranging from 1 to 3; and (b) a crosslinking catalyst. The composition is useful in forming low k dielectric constant materials and as well as hard mask and underlayer materials with anti-reflective properties for the photolithography industry.
    本发明涉及一种组合物,该组合物包括 (a) 具有至少一个式子重复单元的聚合物; (b) 具有至少一个式子重复单元的聚合物; (c) 具有至少一个式子重复单元的聚合物。 其中 R1 为不可水解基团,n 为 1 至 3 的整数;以及 (b) 一种交联催化剂。该组合物可用于形成低 k 介电常数材料,以及用于光刻行业的具有抗反射特性的硬掩膜和底层材料。
  • Silicon-containing EUV resist underlayer film-forming composition containing onium sulfonate
    申请人:NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    公开号:US10613440B2
    公开(公告)日:2020-04-07
    A resist underlayer film-forming composition for EUV lithography showing good resist shape; including: a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzed product thereof, or a hydrolyzed condensate thereof, as a silane; and a salt of a sulfonic acid ion containing a hydrocarbon group with an onium ion. The hydrolyzable organosilane includes at least one organic silicon compound selected from the group consisting of compounds of Formula (1): R1aSi(R2)4-a  Formula (1) and compounds of Formula (2): R3cSi(R4)3-c2Yb  Formula (2) a hydrolyzed product thereof, or a hydrolyzed condensate thereof. A method for manufacturing a semiconductor device, including: forming an organic underlayer film on a semiconductor substrate; a resist underlayer film by applying the resist underlayer film-forming composition onto the organic underlayer film, then baking applied resist underlayer film-forming composition; forming a resist film by applying composition for EUV resists onto resist underlayer film; EUV-exposing the resist film; and obtaining a resist pattern by developing exposed resist film.
    一种用于 EUV 光刻的抗蚀剂底层成膜组合物,显示出良好的抗蚀剂形状;包括:作为硅烷的可水解有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物;以及含有烃基的磺酸离子与鎓离子的盐。可水解有机硅烷包括至少一种选自式(1)化合物组成的组的有机硅化合物: R1aSi(R2)4-a 式(1) 和式 (2) 的化合物: R3cSi(R4)3-c2Yb 式 (2) 其水解产物,或其水解缩合物。一种制造半导体器件的方法,包括:在半导体衬底上形成有机底层膜;通过在有机底层膜上涂敷抗蚀剂底层膜成膜组合物,然后烘烤涂敷的抗蚀剂底层膜成膜组合物,形成抗蚀剂底层膜;通过在抗蚀剂底层膜上涂敷超紫外抗蚀剂组合物,形成抗蚀剂膜;对抗蚀剂膜进行超紫外曝光;以及通过显影曝光的抗蚀剂膜,获得抗蚀剂图案。
  • Thermoplastic resin composition
    申请人:——
    公开号:US20010034419A1
    公开(公告)日:2001-10-25
    A thermoplastic resin composition comprising: a transparent aromatic thermoplastic resin (a) and a copolyester resin (b) comprising at least two kinds of dicarboxylic acid moieties and one kind of diol moiety, 1 to 50 mol % of the dicarboxylic acid moieties being a naphthalenedicarboxylic acid moiety, the ratio of (a) to the combined amount of (a) and (b) being 55 to 99.99% by weight, and the ratio of (b) being 0.01 to 45% by weight.
    一种热塑性树脂组合物,包括 透明芳香族热塑性树脂(a)和 由至少两种二羧酸分子和一种二元醇分子组成的共聚酯树脂(b),其中 1 至 50 摩尔%的二羧酸分子为萘二甲酸分子、 按重量计,(a)与(a)和(b)的总和之比为 55%至 99.99%,(b)之比为 0.01%至 45%。
  • KUXAR V. P.; PASTERNAK V. I.; SHEVCHENKO I. V.; SHEVCHENKO M. V.; MARCHEN+, ZH. ORGAN. XIMII, 1981, 17, HO 1, 180-186
    作者:KUXAR V. P.、 PASTERNAK V. I.、 SHEVCHENKO I. V.、 SHEVCHENKO M. V.、 MARCHEN+
    DOI:——
    日期:——
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