triphenylsulfonium methylsulfate | 342809-19-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: triphenylsulfonium methylsulfate
• 英文别名: methyl sulfate;triphenylsulfanium
• CAS: 342809-19-2
• 化学式: CH₃O₄S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 374.482
• InChiKey: YBNGONKTPOFQRS-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.88
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.05
• 拓扑面积：
  75.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  triphenylsulfonium methylsulfate 、 bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium 以 氯仿 、 水 为溶剂， 反应 5.0h， 生成 C₂₀H₁₅F₆NO₄S₃
  参考文献：
  名称：

  JP6252292

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  triphenylsulfonium iodide 、 硫酸二甲酯 以 乙腈 为溶剂， 以85%的产率得到triphenylsulfonium methylsulfate
  参考文献：
  名称：

  Process for producing onium salt derivative and novel onium salt derivative

  摘要：

  该发明提供了一种高产率的方法，用于生产盐衍生物，这些盐衍生物可用作在化学增强型光刻胶中使用的代理，例如酸发生剂；并提供了新颖的盐衍生物。含有卤根离子或羧酸根离子的盐衍生物与磺酸酯衍生物或磷酸衍生物的反应在高产率下提供盐硫酸盐衍生物或盐磷酸盐衍生物。

  公开号：

  US06620957B1

文献信息

• SALT, RESIN, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN
  申请人：SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

  公开号：US20160052877A1

  公开（公告）日：2016-02-25

  A salt represented by the formula (I); wherein Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 to C 6 perfluoroalkyl group, L b1 represents a single bond or a divalent C 1 to C 24 saturated hydrocarbon groupwhere a methylene group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group and where a hydrogen atom may be replaced by a hydroxyl group or a fluorine atom, and Y represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted C 3 to C 18 alicyclic hydrocarbon groupwhere a methylene group may be replaced by an oxygen atom, a carbonyl group or a sulfonyl group; and Ar represents a divalent C 6 to C 20 aromatic hydrocarbon group, and Z + represents an organic sulfonium cation or an organic iodonium cation.

  根据您的要求，以下是化合物的中文翻译： 由公式(I)表示的盐； 其中Q1和Q2各自独立代表一个氟原子或一个C1至C6的过氟代烷基团，Lb1代表一个单键或一个二价的C1至C24的饱和烃基团，其中甲基烯基团可以被一个氧原子或一个羰基团所取代，并且其中氢原子可以被一个羟基或一个氟原子所取代，并且Y代表一个氢原子，一个氟原子，或一个可选地被取代的C3至C18的芳环烃基团，其中甲基烯基团可以被一个氧原子，一个羰基团或一个磺酰基团所取代；并且Ar代表一个二价的C6至C20的芳香烃基团，以及Z+代表一个有机硫正离子或一个有机碘正离子。
• 新颖鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
  申请人：信越化学工业株式会社

  公开号：CN111440104B

  公开（公告）日：2023-03-24

  本发明涉及新颖鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法。本发明的课题是提供一种新颖鎓盐，其是在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极紫外线等高能量射线作为光源的光刻中，高感度且酸扩散小、曝光裕度、掩膜误差因子、线宽粗糙度等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物中使用；并提供含有该鎓盐作为光酸产生剂的化学增幅抗蚀剂组成物、及使用了该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种鎓盐，是以下式(1)表示的。
• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200223796A1

  公开（公告）日：2020-07-16

  A novel onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by photolithography using KrF or ArF excimer laser, EB or EUV, the resist composition has a high sensitivity and reduced acid diffusion and is improved in exposure latitude, MEF, and LWR.

  提供了一种化学增感剂组合物，其中包括式（1）的新型离子盐作为PAG。当使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV进行光刻工艺处理时，该抗蚀组合物具有高灵敏度、减少酸扩散，并在曝光宽度、MEF和LWR方面得到改善。
• 新的鎓盐、化学放大抗蚀剂组合物和图案化方法
  申请人：信越化学工业株式会社

  公开号：CN111087334B

  公开（公告）日：2022-03-01

  本发明为新的鎓盐、化学放大抗蚀剂组合物和图案化方法。提供新的鎓盐和包含其作为PAG的抗蚀剂组合物。当通过使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV的光刻法进行处理时，抗蚀剂组合物的酸扩散降低，曝光裕度、MEF和LWR改善。
• オニウム塩化合物、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
  申请人：信越化学工業株式会社

  公开号：JP2021091666A

  公开（公告）日：2021-06-17

  【課題】ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線等の高エネルギー線を光源とするフォトリソグラフィーにおいて、高感度であり、かつＣＤＵ、ＬＷＲ等のリソグラフィー性能に優れる化学増幅レジスト組成物、これに使用される酸拡散抑制剤、及び該化学増幅レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるオニウム塩化合物、該オニウム塩化合物からなる酸拡散抑制剤、及び該酸拡散抑制剤を含む化学増幅レジスト組成物。【選択図】なし

  在KrF准分子激光光、ArF准分子激光光、电子束和极紫外线等高能量光源用于光刻工艺中，提供一种高灵敏度、具有优越的CDU、LWR等光刻性能的化学增强型光刻胶组合物，以及用于该化学增强型光刻胶组合物的酸扩散抑制剂和使用的图案形成方法。 解决方案是由下式（1）表示的onium盐化合物、由该onium盐化合物组成的酸扩散抑制剂，以及包含该酸扩散抑制剂的化学增强型光刻胶组合物。