申请人:Soulbrain Co., Ltd. 솔브레인 주식회사(120200555471) Corp. No ▼ 131111-0597525BRN ▼524-86-01789
公开号:KR20210089015A
公开(公告)日:2021-07-15
본 발명은 이트륨 화합물, 이를 포함하는 박막의 형성 방법 및 이로부터 제조된 반도체 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 이트륨 화합물로서, 고유전체 박막의 제조 시 고유전체 박막 형성용 전구체 화합물과 함께 증착시킴으로써 박막의 결정성을 높이고 열 안정성을 향상시켜 증착 공정의 효율을 개선할 수 있고 고온 공정에 적용할 수 있으며 제조되는 박막의 누설 전류를 방지할 수 있는 이트륨 화합물, 이를 포함하는 박막의 형성 방법 및 이로부터 제조된 반도체 기판에 관한 것이다. [화학식 1] (상기 화학식 1에서 R, R 및 R는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고, R는 탄소수 3 내지 6의 할로겐 치환기를 갖는 리간드, 탄소수 3 내지 6의 알킬 아민 또는 이의 유도체, 탄소수 3 내지 6의 알콕사이드 또는 이의 유도체, 탄소수 3 내지 6의 아미딘 또는 이의 유도체, 구아니딘 또는 이의 유도체, 탄소수 4 내지 6의 시클릭 아민 또는 이의 유도체, 및 탄소수 1 내지 4의 알킬 아민이 치환된 시클로펜다티에닐 리간드로 이루어진 군에서 선택된 1종이고, n은 0 내지 4의 정수이다.)
本发明涉及一种钇化合物、包含其的薄膜的形成方法以及由此制造的半导体基板。更具体地说,本发明涉及一种以以下化学式1为特征的钇化合物,该化合物在制备固有晶体薄膜时与固有晶体薄膜形成前体化合物一起沉积,从而提高薄膜的结晶性和热稳定性,改善沉积工艺的效率,适用于高温工艺,并且可以防止薄膜的漏电流。本发明还涉及包含该钇化合物的薄膜的形成方法以及由此制造的半导体基板。
(化学式1中,R,R'和R''分别独立地表示取代或未取代的1至6个碳原子的烷基基团,R表示具有3至6个碳原子的卤素取代基的配体,3至6个碳原子的烷基胺或其衍生物,3至6个碳原子的烷氧基或其衍生物,3至6个碳原子的酰胺或其衍生物,瓜二胺或其衍生物,4至6个碳原子的环状胺或其衍生物,以及取代有1至4个碳原子的烷基胺的环戊二烯基二酮配体,其中n是0至4的整数。)