(4-bromophenyl)(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilane | 1414941-68-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: (4-bromophenyl)(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilane
• 英文别名: (4-Bromophenyl)(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilane；(4-bromophenyl)-(4-dibenzothiophen-4-ylphenyl)-diphenylsilane
• CAS: 1414941-68-6
• 化学式: C₃₆H₂₅BrSSi
• 分子量: 597.65
• InChiKey: JWBPWPNNUNBVQM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.86
• 重原子数：
  39
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (4-bromophenyl)(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilane 、 吡啶-4-硼酸 在 四(三苯基膦)钯 、 potassium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 以91.5%的产率得到4-(4-((4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilyl)phenyl)pyridine
  参考文献：
  名称：

  二苯并噻吩，二苯并呋喃和吡啶取代的四苯基硅衍生物是绿色磷光有机发光二极管的主体

  摘要：

  我们报告了四种新型四苯基硅衍生物作为主体材料在磷光有机发光二极管（PHOLED）中的应用。新的衍生物是；3-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）-苯基）吡啶（DBTSiPy3），4-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基-甲硅烷基）苯基）吡啶（DBTSiPy4），3-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基]-二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy3）和4-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy4）。它们是通过将二苯并噻吩（DBT）/二苯并呋喃（DBF）和吡啶单元引入双（4-溴苯基）二苯基硅烷中间体中而制备的。通过理论计算和实验测量研究了DBT / DBF和吡啶单元中氮原子位置（3位对4位）的影响。为了评估这四种材料的电致发光（EL）性能，使用常见的器件结构制造了基于（

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2019.05.033
• 作为产物：
  描述：

  二苯二氯硅烷 在 四(三苯基膦)钯 、 正丁基锂 、 potassium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 、 水 为溶剂， 反应 2.5h， 生成 (4-bromophenyl)(4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilane
  参考文献：
  名称：

  二苯并噻吩，二苯并呋喃和吡啶取代的四苯基硅衍生物是绿色磷光有机发光二极管的主体

  摘要：

  我们报告了四种新型四苯基硅衍生物作为主体材料在磷光有机发光二极管（PHOLED）中的应用。新的衍生物是；3-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）-苯基）吡啶（DBTSiPy3），4-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基-甲硅烷基）苯基）吡啶（DBTSiPy4），3-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基]-二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy3）和4-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy4）。它们是通过将二苯并噻吩（DBT）/二苯并呋喃（DBF）和吡啶单元引入双（4-溴苯基）二苯基硅烷中间体中而制备的。通过理论计算和实验测量研究了DBT / DBF和吡啶单元中氮原子位置（3位对4位）的影响。为了评估这四种材料的电致发光（EL）性能，使用常见的器件结构制造了基于（

  DOI：

  10.1016/j.orgel.2019.05.033

文献信息

• Host materials for oled
  申请人：Zeng Lichang

  公开号：US20120298966A1

  公开（公告）日：2012-11-29

  Novel aryl silicon and aryl germanium host materials are described. These compounds improve OLED device performance when used as hosts in the emissive layer of the OLED.

  描述了新型芳基硅和芳基锗宿主材料。当这些化合物作为OLED发射层的宿主时，能够提高OLED器件的性能。
• [EN] HOST MATERIALS FOR OLEDS<br/>[FR] MATÉRIAUX HÔTES POUR DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ORGANIQUES (OLED)
  申请人：UNIVERSAL DISPLAY CORP

  公开号：WO2012162325A1

  公开（公告）日：2012-11-29

  Novel aryl silicon and aryl germanium host materials are described. These compounds improve OLED device performance when used as hosts in the emissive layer of the OLED.

  描述了新型芳基硅和芳基锗宿主材料。当作为有机发光二极管(OLED)发射层的宿主时，这些化合物可以提高OLED器件的性能。
• Host materials for OLED
  申请人：Zeng Lichang

  公开号：US08748012B2

  公开（公告）日：2014-06-10

  Novel aryl silicon and aryl germanium host materials are described. These compounds improve OLED device performance when used as hosts in the emissive layer of the OLED.

  描述了新型芳基硅和芳基锗宿主材料。当这些化合物作为OLED发射层中的宿主使用时，可以提高OLED器件性能。
• Dibenzothiophene, dibenzofuran and pyridine substituted tetraphenyl silicon derivatives hosts for green phosphorescent organic light-emitting diodes
  作者：Lei Ding、Jiang-Nan Wang、Xiang-Yang Liu、Hua Chen、Femi Igbari、Liang-Sheng Liao

  DOI：10.1016/j.orgel.2019.05.033

  日期：2019.8

  We report the application of four novel tetraphenyl silicon derivatives as host materials in phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs). The novel derivatives are; 3-(4-((4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenylsilyl)- phenyl)pyridine (DBTSiPy3), 4-(4- ((4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenyl)diphenyl- silyl)phenyl)pyridine (DBTSiPy4), 3-(4-((4-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)phenyl)- dipheny

  我们报告了四种新型四苯基硅衍生物作为主体材料在磷光有机发光二极管（PHOLED）中的应用。新的衍生物是；3-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）-苯基）吡啶（DBTSiPy3），4-（4-（（4-（二苯并[b，d]噻吩-4-基）苯基）二苯基-甲硅烷基）苯基）吡啶（DBTSiPy4），3-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基]-二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy3）和4-（4-（（4-（二苯并[b，d]呋喃-4-基）苯基）二苯基甲硅烷基）苯基）吡啶（DBFSiPy4）。它们是通过将二苯并噻吩（DBT）/二苯并呋喃（DBF）和吡啶单元引入双（4-溴苯基）二苯基硅烷中间体中而制备的。通过理论计算和实验测量研究了DBT / DBF和吡啶单元中氮原子位置（3位对4位）的影响。为了评估这四种材料的电致发光（EL）性能，使用常见的器件结构制造了基于（