2-Cyanoselenophen | 7651-60-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 硒吩
• 英文名称: 2-Cyanoselenophen
• 英文别名: selenophene-2-carbonitrile；2-Cyanoselenophene
• CAS: 7651-60-7
• 化学式: C₅H₃NSe
• 分子量: 156.046
• InChiKey: ZOXOSXWQXKBXTI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  218.9±13.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.62
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  23.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-Cyanoselenophen 在 lithium aluminium tetrahydride 、 乙醚 作用下， 生成 C-selenophen-2-yl-methylamine
  参考文献：
  名称：

  Jur'ew; Mesenzowa, Zhurnal Obshchei Khimii, 1958, vol. 28, p. 3041,3044; engl. Ausg. S. 3071, 3073

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  2-甲酰硒酚 在 羟胺 、 sodium acetate 、 乙酸酐 作用下， 生成 2-Cyanoselenophen
  参考文献：
  名称：

  Jur'ew; Mesenzowa, Zhurnal Obshchei Khimii, 1958, vol. 28, p. 3041,3044; engl. Ausg. S. 3071, 3073

  摘要：

  DOI：

文献信息

• COMPOUNDS FOR INFRARED LIGHT SENSING DEVICES, INFRARED LIGHT SENSING DEVICES, IMAGE SENSORS, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SAME
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20180315933A1

  公开（公告）日：2018-11-01

  A compound for an infrared light sensing device may be represented by a particular chemical formula and may be included in an infrared light sensing device. An image sensor may include the infrared light sensing device, and an electronic device may include the image sensor.

  红外光感应装置的化合物可以用特定的化学式表示，并可包含在红外光感应装置中。图像传感器可能包括红外光感应装置，并且电子设备可能包括图像传感器。
• Engineering aromatic heterocycle strategy: Improving copper electrodeposition performance via tuning the bandgap of diketopyrrolopyrrole-based leveler
  作者：Kang Wang、Jinming Feng、Jie Xu、Jun Li、Maria Mai、Xiaomin Wang、Limin Wang

  DOI：10.1016/j.tet.2019.130882

  日期：2020.1

  tuning is an efficient method to level and regulate the electrodeposition performance. Besides, theoretical calculations and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were applied detect the adsorption mechanism between organic agent and copper surface. This work broadens the understanding of bandgap engineering of organics in copper electrodeposition, and provides guidance for the future design of organic

  有机物的带隙是评估有机剂在金属表面上的界面粘附力的重要指标。但是，对硫族元素调节π共轭材料在影响带隙方面的作用的认识仍然不足。在这里，通过自下而上的策略创新地合成了包含不同硫族元素的基于二酮吡咯并吡咯（DPP）的季铵盐家族，并在保形铜电沉积中用作新的整平剂。测试了这些化合物的光物理和电化学性质，包括循环伏安法（CV），电势极化曲线和恒电流测量值（GMs）。与其他同类产品相比，SEDPP-QAS具有最窄的带隙，在保形铜电沉积中显示出巨大的潜力。通孔电镀测试和涂层的扫描电子显微镜（SEM）图像表明，带隙调谐是一种有效的方法来调节和调节电沉积性能。此外，通过理论计算和X射线光电子能谱（XPS）检测有机物与铜表面之间的吸附机理。这项工作拓宽了对铜电沉积中有机物的带隙工程学的理解，并为有机材料在吸附其他金属基材料方面的未来设计提供了指导。通过理论计算和X射线光电子能谱（XPS）检测有机剂与铜表面的吸
• Optimizing phototherapy efficiency via dynamic adjusting the contributions of photodynamic and photothermal therapy of diketopyrrolopyrrole-based compounds
  作者：Pengmin Shi、Lin Lei、Mengqi Chu、Zhengcha Pang、Zhiwei Xu、Yanyan Sun、Lei Fang

  DOI：10.1016/j.dyepig.2024.112049

  日期：2024.5

  Three diketopyrrolopyrrole-based photosensitizers (S1, Se1 and Se2) were designed to optimize the contributions of photodynamic (PDT) and photothermal (PTT) therapy in tumor phototherapy via adjusting the spin-orbit coupling constant and the intersystem crossing efficacy. The photo-physicochemical as well as biological properties indicated that the introduction of Se and methoxy group can increase

  设计了三种基于二酮吡咯并吡咯的光敏剂（S1、Se1和Se2），通过调整自旋轨道耦合常数和系间交叉功效来优化光动力（PDT）和光热（PTT）疗法在肿瘤光疗中的贡献。光物理化学和生物学特性表明，Se和甲氧基的引入可以提高光敏剂的ISC率，提高PDT效率并降低PTT效果，这与DFT和TD-DFT计算的结果一致。重要的是，体内评估表明，超分子纳米粒子 Se2-NPs 通过协同 PDT 和 PTT 对抗癌症表现出优异的光疗性能。这些发现表明，控制PDT和PTT的相对贡献可能是提高光疗效率的有效方法。
• Decroix,B. et al., Bulletin de la Societe Chimique de France, 1976, p. 621 - 627
  作者：Decroix,B. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Pd(II)-Catalyzed Direct Dehydrogenative Mono- and Diolefination of Selenophenes
  作者：Shi-Yen Chen、Santosh K. Sahoo、Ching-Li Huang、Tung-Hsien Chan、Yen-Ju Cheng

  DOI：10.1021/acs.orglett.0c00506

  日期：2020.3.20

  Pd(II)-catalyzed dehydrogenative Heck olefination of selenophenes with a broad olefinic substrate scope and high functional group tolerance is demonstrated. Carbonyl-substituted and phenyl-substituted olefins with electron-donating (D) and electron-accepting (A) groups can be regioselectively installed at C2 of the selenophene. The 2-olefinated selenophenes can subsequently undergo a second oxidative olefination to rapidly produce a new class of symmetrical D-pi-D or unsymmetrical D-pi-A 2,5-diolefinated selenophene materials.

表征谱图