of 1.56 eV comparable to that of CH3NH3PbI3 (∼1.5 eV), and an impressive piezoelectric response (piezoelectric coefficient, d22 of 35 pC/N) on par with PVDF (polyvinylidene fluoride, 30 pC/N). With intriguing attributes, (S-1,2-DAP·I)4·I3·BiI6 and (R-1,2-DAP·I)4·I3·BiI6 exhibit great potential for application of self-power polarized-light detection and piezoelectric sensors.
铁电半导体由于其独特的
铁电光伏效应,在光电子领域引起了越来越多的关注。最近,大量努力致力于
铁电半导体的开发,包括无机氧化物、有机-无机杂化物和无
金属
钙钛矿。然而,关于带隙小于 2 eV 的
铁电半导体的报道却很少。在这里,结合三
碘化物(I 3 − )的掺入和手性阳离子的引入,我们成功地构建了一对对映体有机-无机杂化
铁电半导体,( S -1,2-DAP·I) 4 ·I 3 ·比尔6和( R -1,2-DAP·I) 4 ·I 3 ·BiI 6 ( R / S -1,2-DAP = ( R / S )-(–)-1,2-二
氨基
丙烷),具有高温多轴
铁电相变,405 K 时的 Aizu 标记为 422F2( s ),1.56 eV 的窄带隙与 CH 3 NH 3 PbI 3 (∼1.5 eV)相当,以及令人印象深刻的压电响应(压电系数) , d 22 of 35 pC/N) 与 PVDF(聚偏二
氟乙烯,30