2-ethyl-N-(2-hydroxyphenyl)butanamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-ethyl-N-(2-hydroxyphenyl)butanamide
• 化学式: C₁₂H₁₇NO₂
• 分子量: 207.27
• InChiKey: ZHIXKMXOQAKAKN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.42
• 拓扑面积：
  49.3
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

文献信息

• Chemically Amplified Positive Resist Composition and Resist Pattern Forming Process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180180992A1

  公开（公告）日：2018-06-28

  A positive resist composition comprising a polymer adapted to be decomposed under the action of acid to increase its solubility in alkaline developer and a sulfonium compound of formula (A) has a high resolution. When the resist composition is processed by lithography, a pattern with minimal LER can be formed.

  一种正性光刻胶组合物，包括一种聚合物，该聚合物适于在酸的作用下分解，以增加其在碱性显影剂中的溶解度，以及一种化学式（A）的磺化物化合物，具有高分辨率。当使用光刻技术处理光刻胶组合物时，可以形成最小LER的图案。