10-(thien-3-yl)-1-decene | 157518-88-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 杂芳族化合物
• 英文名称: 10-(thien-3-yl)-1-decene
• 英文别名: 10-(3-thienyl)-1-decene；3-Dec-9-enylthiophene
• CAS: 157518-88-2
• 化学式: C₁₄H₂₂S
• 分子量: 222.395
• InChiKey: TWTPSIBBEVNIDY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  315.7±21.0 °C(predicted)
• 密度：
  0.930±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.2
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  28.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  10-(thien-3-yl)-1-decene 在 三氯硅烷 作用下， 生成 10-(thien-3-yl)-decyltrichlorosilane
  参考文献：
  名称：

  Chemically adsorbed ultrathin film and its material, and method of

  摘要：

  本发明涉及一种共价键结合于基底表面的导电噻吩衍生物单分子膜及其制备方法，以及用于形成导电单分子膜的含有3-噻吩基团（噻吩衍生物）的硅化合物及其制备方法。本发明形成了一种含有3-噻吩基团和硅基团的单分子超薄膜。用于形成该膜的硅化合物是通过在过渡金属催化剂的存在下，将.omega.-(3-噻吩基)-1-烯烃化合物与单硅烷衍生物化合物反应而提供的，其中单硅烷的四个氢原子中的三个被卤素或烷氧基取代。将基底浸泡并保持在上述化合物的非水溶液中，从而化学键合单分子膜到基底表面。此外，通过电解或催化聚合单分子膜形成噻吩衍生物超薄膜。

  公开号：

  US05461166A1

文献信息

• 3-Thienyl silicon compounds, chemically adsorbed ultrathin film formed therefrom and method of manufacturing the same
  申请人：MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

  公开号：EP0587159A1

  公开（公告）日：1994-03-16

  Disclosed are a conductive thienyl derivative monomolecular film covalently bonded to a substrate surface and method of manufacturing the same, and a silicon compound comprising 3-thienyl groups (thiophene derivative) used for forming the conductive monomolecular film and a method of manufacturing the same. A monomolecular ultrathin film comprising 3-thienyl groups and silicon groups is formed in the invention. The silicon compound used for forming the film is provided by reacting ω-(3-thienyl)-1-alkene compound to a monosilane derivative compound, in which three out of four hydrogen atoms of monosilane are replaced with halogen or alkoxy groups, in the presence of a transition metal catalyst. A substrate is dipped and held in a nonaqueous solution of the above-noted compound, thus chemically bonding the monomolecular film to the substrate surface. Furthermore, a thienyl derivative ultrathin film is formed by the electrolytic or catalytic polymerization of the monomolecular film.

  本发明公开了一种共价键合到基底表面的导电噻吩基衍生物单分子薄膜及其制造方法，以及一种用于形成导电单分子薄膜的包含 3-噻吩基（噻吩衍生物）的硅化合物及其制造方法。本发明形成了一种由 3-噻吩基团和硅基团组成的单分子超薄薄膜。用于形成薄膜的硅化合物是通过将ω-(3-噻吩基)-1-烯化合物与单硅烷衍生物化合物在过渡金属催化剂存在下反应而得到的，在单硅烷衍生物化合物中，单硅烷的四个氢原子中有三个被卤素或烷氧基取代。将基底浸泡在上述化合物的非水溶液中，从而使单分子膜与基底表面发生化学键合。此外，通过单分子薄膜的电解或催化聚合，形成噻吩基衍生物超薄薄膜。
• US5461166A
  申请人：——

  公开号：US5461166A

  公开（公告）日：1995-10-24