3,7-dihydroxynaphthalene-2-carboxaldehyde | 1092649-39-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 3,7-dihydroxynaphthalene-2-carboxaldehyde
• 英文别名: 3,7-dihydroxynaphthalene-2-carbaldehyde
• CAS: 1092649-39-2
• 化学式: C₁₁H₈O₃
• 分子量: 188.183
• InChiKey: NBILPKRGYHSDRI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  57.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,7-dihydroxynaphthalene-2-carboxaldehyde 在 N-甲基吡咯烷酮 、 4-二甲氨基吡啶 、 盐酸-N-乙基-Nˊ-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 为溶剂， 反应 15.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  POLYMERIZABLE COMPOUND, POLYMERIZABLE COMPOSITION, POLYMER, AND OPTICALLY ANISOTROPIC MATERIAL

  摘要：

  公开号：

  EP2703385B1
• 作为产物：
  描述：

  2,6-双(甲氧基甲氧基)萘 、 N,N-二甲基甲酰胺 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 21.0h， 以42%的产率得到2,6-二羟基萘-1-甲醛
  参考文献：
  名称：

  2,6-二羟基萘甲醛的结构异构体的实验和理论研究。共振辅助氢键对电子吸收光谱的影响

  摘要：

  我们制备并表征了一系列带有潜在共振辅助氢键（RAHB）单元的2,6-二羟基萘的单和二甲醛。所选化合物的X射线晶体结构表明，每个水杨醛部分均形成分子内氢键，并且将甲酰基引入α-或β-位会导致几何结构上的显着差异，这可从传统的共振方案中得到解释。杂种包括离子态。NMR化学位移分析表明，溶液中的化合物相对于RAHB单元以封闭和开放形式之间的平衡混合物形式存在。从头算计算表明，分子内氢键的形成显着影响萘的各个局部六元环的芳香性。分析了芳香族化合物的变化趋势，并结合了RAHB的额外稳定能。在紫外可见光谱中，与α-甲酰基衍生物相比，β-甲酰基衍生物特别显示出明显的红移。通过TD-DFT计算成功地再现了吸收特征，并且通过RAHB对萘的π系统的电子态的影响来一致地解释了这些数据。最后，我们指出了带有RAHB的分子与催化缩合的芳烃在电子状态上的相似性。分析了芳香族化合物的变化趋势，并结合了RAHB的额外稳定

  DOI：

  10.1021/jo802345f

文献信息

• Resist underlayer film composition and patterning process using the same
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2476713A1

  公开（公告）日：2012-07-18

  There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), and one or more kinds of compounds, represented by the following general formulae (2-1) and/or (2-2), and/or equivalent bodies thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.

  本发明公开了一种抗蚀剂底层薄膜组合物，其中该组合物含有至少由以下通式（1-1）和/或（1-2）表示的一种或多种化合物和以下通式（2-1）和/或（2-2）表示的一种或多种化合物和/或其等效体缩合而得的聚合物。可以提供一种底层膜组合物，特别是用于三层抗蚀工艺的底层膜组合物，该组合物可以形成反射率降低的底层膜（即作为抗反射膜具有最佳 n 值和 k 值的底层膜）、填充性能优异、图案抗弯曲性能高、蚀刻后尤其是在厚度小于 60 nm 的高纵横向线上不会出现掉线或晃动的底层膜，以及使用该底层膜组合物的图案化工艺。
• RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：OGIHARA Tsutomu

  公开号：US20120184103A1

  公开（公告）日：2012-07-19

  There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), and one or more kinds of compounds, represented by the following general formulae (2-1) and/or (2-2), and/or equivalent bodies thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.
• US5985242A
  申请人：——

  公开号：US5985242A

  公开（公告）日：1999-11-16
• US6303567B1
  申请人：——

  公开号：US6303567B1

  公开（公告）日：2001-10-16
• US6689752B2
  申请人：——

  公开号：US6689752B2

  公开（公告）日：2004-02-10