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N,N'-bis(cyclopentyl)naphthalene diimide | 173409-40-0

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
N,N'-bis(cyclopentyl)naphthalene diimide
英文别名
6,13-Dicyclopentyl-6,13-diazatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1(15),2,4(16),8,10-pentaene-5,7,12,14-tetrone
N,N'-bis(cyclopentyl)naphthalene diimide化学式
CAS
173409-40-0
化学式
C24H22N2O4
mdl
——
分子量
402.45
InChiKey
RHRQHLZSVVHCKD-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.7
  • 重原子数:
    30
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.42
  • 拓扑面积:
    74.8
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    AROMATIC AMIC ACIDS OR AMIC ESTERS AND COMPOSITIONS
    摘要:
    新型的酰胺酸和酰胺酯可以通过热转化成相应的芳基二酰亚胺。这些酰胺酸和酰胺酯可以用作前体,制备半导体薄膜,这些薄膜可以用于各种物品,包括可嵌入各种电子设备的薄膜晶体管器件。通过这种方式,芳基二酰亚胺不需要从溶剂中涂覆,因为它们可能不溶于溶剂,但它们可以从易于涂覆的酰胺酸或酰胺酯中原位生成。
    公开号:
    US20110269967A1
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文献信息

  • Correlation of mobility and molecular packing in organic transistors based on cycloalkyl naphthalene diimides
    作者:Tomoyuki Kakinuma、Hirotaka Kojima、Minoru Ashizawa、Hidetoshi Matsumoto、Takehiko Mori
    DOI:10.1039/c3tc30920g
    日期:——
    A series of cycloalkyl-substituted naphthalene tetracarboxylic diimides (Cyn-NTCDIs, n = 3–8) are prepared and the transistor properties and molecular packings are systematically investigated. Cy5–Cy8-NTCDIs have similar brickwork structures, where two molecules are located on the top of a molecule with large displacement along the molecular short axis. The intermolecular overlap is maximized when the small slipping along the molecular long axis makes the molecules nearly perpendicular to the substrate. Consequently, the mobility decreases exactly in the same order as the interlayer d-spacings.
    本研究制备了一系列环烷基取代的萘四羧酸二亚胺(Cyn-NTCDIs,n = 3-8),并对其晶体管特性和分子包络进行了系统研究。Cy5-Cy8-NTCDIs 具有类似的砖砌结构,其中两个分子位于一个分子的顶部,沿分子短轴有较大位移。当沿分子长轴的微小滑动使分子几乎垂直于基底时,分子间的重叠达到最大。因此,迁移率的减小顺序与层间 d 间距的减小顺序完全相同。
  • SEMICONDUCTING ARTICLES
    申请人:Shukla Deepak
    公开号:US20110269966A1
    公开(公告)日:2011-11-03
    An amic acid or amic ester precursor can be applied to a substrate and thermally converted into a thin organic semiconducting layer of the corresponding arylene diimide. This semiconducting layer can be used in various semiconductive articles such as organic light emitting diode (OLED), photodetector, sensor, logic circuit, memory element, capacitor, photovoltaic (PV) cell, or electronic devices. In this manner, the arylene diimide need not be coated but is generated in situ from a solvent-soluble and easily coated precursor compound.
    一种amic酸或amic酯前体可以应用于基板上,并在热转化成相应的芳基二酰亚胺的薄有机半导体层。这种半导体层可以用于各种半导体器件,如有机发光二极管(OLED)、光电探测器、传感器、逻辑电路、存储元件、电容器、光伏(PV)电池或电子器件。通过这种方式,芳基二酰亚胺不需要涂覆,而是从可溶于溶剂且易于涂覆的前体化合物中原位生成。
  • AROMATIC AMIC ACID SALTS AND COMPOSITIONS
    申请人:Shukla Deepak
    公开号:US20110295010A1
    公开(公告)日:2011-12-01
    Aromatic non-polymeric amic acid salts are designed to be thermally converted into corresponding arylene diimides. These aromatic, non-polymeric amic acid salts can be used to prepare semiconducting thin films that can be used in various articles including thin-film transistor devices that can be incorporated into a variety of electronic devices. In this manner, the arylene diimide need not be coated but is generated in situ from a solvent-soluble, easily coated aromatic, non-polymeric amic acid salt at relatively lower temperature because the cation portion of the amic acid salt acts as an internal catalyst.
    芳香族非聚合酰胺盐被设计为在热处理后转化为相应的芳香族二酰亚胺。这些芳香族非聚合酰胺盐可用于制备半导体薄膜,可用于各种物品,包括可用于各种电子设备的薄膜晶体管器件。通过这种方式,不需要涂覆芳香族二酰亚胺,而是通过溶剂可溶、易于涂覆的芳香族非聚合酰胺盐在相对较低的温度下原位生成,因为酰胺盐的阳离子部分作为内部催化剂。
  • SEMICONDUCTING DEVICES AND METHODS OF PREPARING
    申请人:Shukla Deepak
    公开号:US20110266523A1
    公开(公告)日:2011-11-03
    An amic acid or amic ester precursor can be applied to a substrate to form a thin film, and is then thermally converted into a semiconducting layer of the corresponding arylene diimide. This semiconducting thin film can be used in various articles including thin-film transistor devices that can be incorporated into a variety of electronic devices. In this manner, the arylene diimide need not be coated onto the substrate but is generated in situ from a solvent-soluble, easily coated precursor compound.
  • US7422777B2
    申请人:——
    公开号:US7422777B2
    公开(公告)日:2008-09-09
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