名称:
[EN] HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMINCONDUCTOR BASED ON DITHIENO [2,3-D:2',3'-D']BENZO[1,2-B:4,5-B'] DITHIOPHENE
[FR] SEMI-CONDUCTEUR À HAUTE PERFORMANCE APTE À ÊTRE TRAITÉ EN SOLUTION À BASE DE DITHIÉNO[2,3-D:2',3'-D']BENZO[1,2-B:4,5-B']DITHIOPHÈNE
摘要:
通式(I)的二噻吩并二噻吩(dithienobenzodithiophenes),其中R1至R6分别独立地选自a)H,b)卤素,c)-CN,d)-NO2,e)-OH,f)C1-20烷基,g)C2-20烯基,h)C2-20炔基,i)C1-20烷氧基,j)C1-20烷硫基,k)C1-20卤代烷基,I)-Y-C3-10环烷基,m)-Y-C6-14芳基,n)-Y-3-12成员环杂烷基,或o)-Y-5-14成员杂芳基,其中C1-20烷基,C2-20烯基,C2-20炔基,C3-10环烷基,C6-14芳基,3-12成员环杂烷基和5-14成员杂芳基中的每一个均可选择性地用1-4个R7基取代,其中R1和R3以及R2和R4也可以共同形成脂肪族环状基团,Y独立地选自二价的C1-6烷基,二价的C1-6卤代烷基或共价键;m独立地选自0、1或2。本发明还涉及将通式1至4中的二噻吩并二噻吩用作半导体或电荷传输材料,用作薄膜晶体管(TFT),或用于有机发光二极管(OLED)的半导体元件,用于光伏元件或传感器,用作电池的电极材料,用作光波导或电子摄影应用。