四（乙基甲基氨基）钒（IV） | 791114-66-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 四（乙基甲基氨基）钒（IV）
• 英文名称: tetrakis(ethylenediamino)vanadium
• 英文别名: Tetrakis(ethylmethylamino)vanadium(IV)；ethyl(methyl)azanide;vanadium(4+)
• CAS: 791114-66-4
• 化学式: C₁₂H₃₂N₄V
• 分子量: 283.354
• InChiKey: DIPHIZQUERBDLB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.04
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  四（乙基甲基氨基）钒（IV） 、 臭氧 生成 vanadium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  通过基于臭氧的原子层沉积生长的薄 VO2 薄膜中的半导体-金属转变

  摘要：

  二氧化钒 (VO2) 有一个有趣的特性，即当温度在 68°C 的转变温度附近变化时，它会经历可逆的半导体-金属转变 (SMT)。 1 光学常数的变化使 VO2 可用作涂层材料，例如热致变色窗口，2 而电阻率的相关变化可能对微电子应用感兴趣，例如用于电阻开关和存储器。3 由于积极的缩放和增加的集成复杂性，原子层沉积 (ALD) 在沉积微电子中的氧化物方面变得越来越重要。然而，在大多数情况下，通过 ALD 沉积 VO2 的尝试会导致不希望的 V2O5。在目前的工作中，我们通过在仅 150°C 的 ALD 工艺中使用 Tetrakis[EthylMethylAmino]Vanadium 和臭氧来证明 VO2 的增长。XPS 揭示了钒的 4+ 氧化态，与 VO2 相关。沉积在 SiO2 上的薄膜是无定形的，但在 450°C 的惰性气体中进行热处理时，会形成第一个也是唯一的结晶相。已通过原位 X 射

  DOI：

  10.1063/1.3579195