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-hydroximino-essigsaeure-aethylester (syn) | 29348-45-6

中文名称
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中文别名
——
英文名称
-hydroximino-essigsaeure-aethylester (syn)
英文别名
benzothiazol-2-yl-(E)-hydroxyimino-acetic acid ethyl ester;ethyl (2E)-2-(1,3-benzothiazol-2-yl)-2-hydroxyiminoacetate
<Benzothiazol-2-yl>-hydroximino-essigsaeure-aethylester (syn)化学式
CAS
29348-45-6
化学式
C11H10N2O3S
mdl
——
分子量
250.278
InChiKey
UMYUBOLROKPGDK-LCYFTJDESA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.6
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.18
  • 拓扑面积:
    100
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    酸(苯并噻唑基-2),乙酰丙酸,-3-丙酸,-乙醛酸和-丙酮酸的比较方法
    摘要:
    苯并噻唑-2-基乙醛酸和α-氨基-苯并噻唑-2-基乙酸盐酸盐在室温下进行脱羧。这种容易的脱羧似乎取决于以下要求:(a)平面两性离子的形成;(b)两性离子电荷之间的距离约为2.2Å;(c)稳定中间碳负离子。
    DOI:
    10.1002/hlca.19700530715
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文献信息

  • [EN] PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, MATERIAL FOR FORMING RELIEF PATTERN, PHOTOSENSITIVE FILM, POLYIMIDE FILM, CURED RELIEF PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE<br/>[FR] COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, MATÉRIAU PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF EN RELIEF, FILM PHOTOSENSIBLE, FILM EN POLYIMIDE, MOTIF EN RELIEF DURCI ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
    申请人:FUJIFILM CORP
    公开号:WO2013018524A1
    公开(公告)日:2013-02-07
     解像性及び感度に優れたリソグラフィー性能を有し、いわゆる低温キュアにおいて、応力が低いことによりウエハ反りを防止する硬化レリーフパターンを形成することができる感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いる、レリーフパターン形成材料、感光性膜、ポリイミド膜、硬化レリーフパターン、その製造方法、及び該硬化レリーフパターンを含む半導体装置を提供する。 (a)下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂、及び (b)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感光性樹脂組成物。 上記一般式(1)中、 R1は、4価の有機基を表す。複数のR1は互いに同一であっても異なっていてもよい。 R2は、2価の有機基を表す。複数のR2は互いに同一であっても異なっていてもよい。 但し複数のR2のうち少なくとも1つは脂環基を有する2価の有機基である。 R3は、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。 但し複数の-CO2R3のうち少なくとも1つは、酸の作用により分解しアルカリ可溶性基を生じる基である。
  • [EN] PROTECTANT, METHOD FOR PRODUCING COMPOUND PROTECTED BY PROTECTANT, RESIN PROTECTED BY PROTECTANT, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION CONTAINING RESIN PROTECTED BY PROTECTANT, PATTERN-FORMING MATERIAL, PHOTOSENSITIVE FILM, CURED RELIEF PATTERN, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE<br/>[FR] PROTECTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSÉ PROTÉGÉ PAR LE PROTECTEUR, RÉSINE PROTÉGÉE PAR LE PROTECTEUR, COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE CONTENANT LA RÉSINE PROTÉGÉE PAR LE PROTECTEUR, MATIÈRE DE FORMATION DE MOTIF, FILM PHOTOSENSIBLE, MOTIF EN RELIEF DURCI, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
    申请人:FUJIFILM CORP
    公开号:WO2013141376A1
    公开(公告)日:2013-09-26
     保存安定性に優れるカルボキシル基又はヒドロキシル基の保護剤、該保護剤によりカルボキシル基又はヒドロキシル基が保護され、保存安定性に優れる樹脂、解像性及び感度に優れる前記保護された樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成材料、感光性膜、及び硬化膜、並びに該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、それにより得られた硬化レリーフパターン及び該硬化レリーフパターンを具備する半導体装置を提供する。 下記一般式(I)で表される化合物であるヒドロキシル基又はカルボキシル基の保護剤。(上記一般式中、R1及びR2は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、R1及びR2の少なくとも1つは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基又はハロゲン原子である。 R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。 R1及びR2が互いに結合して環を形成していてもよく、R1又はR2がR3と結合して環を形成していてもよい。Xは前記ヒドロキシル基又はカルボキシル基の作用により脱離し得る基を表す。)
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